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三星交付HBM3E内存样品:秒传百部电影
10月18日消息,根据韩国媒体今天的报道,三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快对HBM3E的开发和营销,其有望追上SK海力士在该领域的步伐。HBM属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度...……更多
韩媒:三星电子1bnmlpddr内存良率不足五成
9月4日消息,据韩媒ZDNETKorea报道,三星电子MX部门8月向DS部门表达了对面向GalaxyS25系列手机的1bnm(IT之家注:即12nm级)LPDDR内存样品供应延误的担忧。三星电子于2023年5月启动1bnm工艺16GbDDR5内存量产,后又在当年9月发布1bnm32GbDDR5..……更多
高通2nmap订单年底前完成,配套的 HBM 内存
据ETNews报道,高通已委托三星电子开发2nm原型芯片。如果三星制造的原型芯片达到该公司要求的性能和良率目标,可能会达成最终订单。原型开发是了解半导体性能和良率的过程。在半导体行业,它通常被称为“多项目晶圆”...……更多
三星 9.8Gbps 速率 HBM3E 内存已出样
10月12日消息,据三星官方博客消息,面向高性能计算(HPC)的HBM内存迎来新进展,将开发9.8Gbps的HBM3E产品,已开始向客户提供样品。此外,HBM4内存以2025年为目标正在开发中,为了适用于该产品,正在准备针对高温热特性优化...……更多
三星正在开发hbm4,已经量产了HBM2E和HBM3
...长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%被美光所占有。近日,三星执行副总裁...……更多
三星确认下一代hbm3e、ddr5和v-nand第二季度推出
三星在其最新财报中提供了有关其数据中心产品组合的最新信息,确认下一代HBM3E、DDR5和V-NAND将于第二季度推出。这家韩国巨头报告说,它正在见证人工智能领域创纪录的增长,并将在这一领域推出多条新产品线。首先,三星...……更多
三星电子完成16层堆叠hbm3内存验证
4月7日消息,综合韩媒TheElec和ETNews报道,三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示,三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆...……更多
集邦咨询:2023年hbm需求同比增长58%
...2、HBM2E、HBM3和HBM3e。目前在HBM3研发最前沿的是SK海力士和三星两家公司,英伟达的H100/H800、AMD的MI300系列AI加速卡均采用HBM3。SK海力士和三星预计将在2024年第一季度提供HBM3e样品。另一方面,美国内存公司美光正在绕过HBM3,直接...……更多
三星电子、sk海力士、美光盯上博通hbm3e订单
...道,继争夺英伟达及AMD的AIGPU/加速器用HBM3E内存合同后,三星电子、SK海力士、美光不约而同地盯上了芯片设计大厂博通的HBM3E订单。博通去年实现了299.5亿美元(IT之家备注:当前约2165.39亿元人民币)的半导体相关收入,在无厂...……更多
SK海力士计划2025Q1量产GDDR7,晚于三星和美光
...,并表示计划2025年第一季度开始量产。相比于竞争对手三星和美光,SK海力士似乎是进入大规模生产阶段最晚的一家。三星和美光都打算在2024年内实现量产,其中前者的GDDR7产品页面已于今年3月在官网上线,后者最近发布了公...……更多
三星为拿下英伟达高端内存订单组建“精英团队”
5月7日消息,据韩国科技媒体KEDGlobal报道,三星电子为了拿下英伟达下一代人工智能图形处理器(AIGPU)的高端内存(HBM)订单,组建了一支由约100名顶尖工程师组成的“精英团队”,他们一直致力于提高制造产量和质量,首要目标是...……更多
消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
IT之家 9 月 3 日消息,韩媒 etnews 当地时间昨日报道称,三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源,计划将...……更多
三星在最新的储存技术日活动中向公众展示了多项新产品,其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM,这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。三星表示,“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps,其传输速率可...……更多
三星将展示gddr7技术
...界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,届时三星将展示其GDDR7技术,主题是“具有PAM3优化TRX均衡和ZQ校准的16Gb37Gb/sGDDR7DRAM”。GDDR7将采用PAM3编码,介于PAM4和NRZ之间,相比NRZ实现了更高的周期数据传输速率,同时降...……更多
第五代HBM3e内存来了!三大存储巨头集体向英伟达供货
...供应链管理,英伟达正规划加入更多的HBM供应商。其中,三星的HBM3(24GB)预期于今年12月在NVIDIA完成验证。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应,如今三星、美光都将加入。这也意味着,三家存储龙头都将为英伟达供应HBM。而HBM...……更多
韩国人,卡住了英伟达的脖子?
...韩国人能量产。 根据 Trendforce 数据,韩国的 SK 海力士和三星,他俩在 2023 年拿捏了全球 90% 的 HBM 内存产能。而两年市面上的 AI 芯片,什么 A100 A800 们,反正你能想到的,基本就没谁能离开 HBM 内存。所以,就在老黄的英伟达市...……更多
三星展示 GDDR7 显存:待机功耗比 GDDR6 低50%
10月21日消息,三星于2022年10月正式发布GDDR7显存,时隔1年,三星在圣何塞举办的存储技术日上,再次更新介绍了GDDR7显存。三星在新闻稿中表示,在过去1年中不断改善GDDR7显存的动态功耗,而且通过额外的时钟控制,待机功耗...……更多
三星预计 2024 年初开始量产下一代 NAND 内存
10月17日消息,三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展,并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星电子存储业务主管李政培(LeeJung-Bae)称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的...……更多
5月10日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子内部已对其HBM内存开发部门进行“双轨化”改造,以增强其在HBM业务上的竞争力。具体而言,由现有DRAM设计团队负责HBM3E内存的后续研发工作,而三月成立的 HBM产能质量提升团队则专注...……更多
三星官宣:车用LPDDR4X已通过验证 应用于高通高级驾驶辅助系统
快科技8月27日消息,三星宣布旗下车用LPDDR4X已成功通过高通的Snapdragon Digital Chassis验证,这是一套全面的云连接平台,旨在为数据丰富的智能汽车服务提供支持。三星强调,高通作为其在汽车领域的长期战略合作伙伴,不仅拥...……更多
三星、sk海力士推进移动dram堆叠封装技术应用
4月9日消息,据韩媒ETNews报道,三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用,该技术可提高移动设备的内存带宽。端侧AI是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题,而实现端侧运行模型需要更强大的移动DRAM性...……更多
三星电子宣布成功构建其首个红帽认证的CXL基础设施
三星可直接验证包括CXL产品和软件在内的服务器配置元素,该基础设施将加速产品开发周期,并为客户提供定制化解决方案今日,三星电子宣布已成功构建其首个经红帽(Red Hat,全球领先的开源解决方案提供商)认证的Compute Ex...……更多
三星正在开发一种新型存储产品
...智能(AI)相关软硬件激增,为了应对超大规模的市场,三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品,包括DDR5、HBM类产品、CXL内存模块等,为各种人工智能技术提供动力。近日,三星官方介绍了旗下存储产品的开发和...……更多
三星开始为ipadmini开发新型显示屏
...iPadmini更新可能终于要来临了。据ZDNetKorea通过Naver报道,三星显示已经开始为iPadmini开发新型显示屏,并已经向苹果公司提交了样品。这可能意味着配备有OLED屏幕的iPadmini已经提上了日程。据悉,三星显示提供的屏幕样品采用OLED...……更多
三星成功建立redhat基础验证中心
6月26日消息,三星公司昨日(6月25日)发布公告,宣布成功建立了业界首个通过RedHat认证的ComputeExpressLink™(CXL™)基础验证中心。三星表示在韩国华城市建立了三星存储器研发中心(SMRC),可以直接验证从CXL相关产品到软件...……更多
三星电子8nmemram技术开发基本完成
5月31日消息,三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM研讨会”上表示,正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级,目前8nmeMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存,MRAM基于磁性原理,具有非易失性,不需要同DRAM内存一样不断刷新...……更多
三星电子开设一个新的R&D研究实验室
1月28日消息,三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室,专注于下一代3DDRAM芯片的开发。该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica(DSA)运营之下,负责监督三星在美国的半导体生产,并致力于开发新一代的DRAM...……更多
4月1日消息,三星电子DS部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨AI半导体策略,同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。在AI用存储芯片部分,三星组建了由DRAM产品与技术负责人HwangSang-joon领导HB...……更多
三星12纳米ddr5dram2023年量产
三星电子与AdvancedMicroDevices(AMD)合作开发了业界首款12纳米级DDR5动态随机存取存储器(DRAM)。这种新型DRAM将于2023年开始量产,预计将以其卓越的性能和更高的能效提升下一代计算、数据中心和人工智能(AI)应用的能力。三星12纳米DD...……更多
消息称三星 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成,已就此成立工作组
IT之家 6 月 11 日消息,韩媒 ZDNet Korea 今日表示,三星 1b nm(12nm 级) DRAM 内存良率仍不足五成。这一数据远低于 80~90% 的业界一般目标,三星已于上月就此成立专门工作组应对。参考IT之家以往报道,三星电子于 2023 年 5 月宣布 ...……更多
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