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集邦咨询：2023年hbm需求同比增长58%
10月12日消息，在人工智能浪潮下，市场需求持续激增，HBM技术成为人们关注的焦点。全球市场研究公司集邦咨询预计，2023年HBM需求将同比增长58%，2024年可能进一步增长约30%。
HBM全称是HighBandwidthMemory，是一款新型的CPU/GPU内存芯片，将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。
HBM相比较传统DRAM具有高带宽、高容量、低延迟、低功耗等优势，特别适合ChatGPT等高性能计算场景。
IT之家注：自2014年推出首款采用TSV封装技术的HBM产品以来，HBM技术已经历多次升级，先后经历了HBM、HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3e。
目前在HBM3研发最前沿的是SK海力士和三星两家公司，英伟达的H100/H800、AMD的MI300系列AI加速卡均采用HBM3。
SK海力士和三星预计将在2024年第一季度提供HBM3e样品。另一方面，美国内存公司美光正在绕过HBM3，直接追求HBM3e。
HBM3e将采用24Gb单晶芯片堆栈，并采用8层(8Hi)配置，单个HBM3e芯片的容量将飙升至24GB。
HBM3e预计将在2025年纳入NVIDIA的GB100，导致三大OEM计划在2024年第一季度发布HBM3e样品，并在下半年进入量产。
除了HBM3和HBM3e之外，最新的更新表明存储巨头正在计划推出下一代HBM——HBM4。
三星最近宣布已开发出9.8GbpsHBM3E，并计划向客户提供样品。此外，三星正在积极开发HBM4，目标是在2025年开始供货。
据报道，三星电子正在开发诸如用于优化高温热特性的非导电粘合膜（NCF）组装以及混合键合（HCB)，适用于HBM4产品。
虽然HBM4有望取得重大突破，但仍有一段路要走，因此现在讨论其实际应用和广泛采用还为时过早。业内专家强调，目前HBM市场以HBM2e为主。然而，HBM3和HBM3e有望在不久的将来占据领先地位。
集邦咨询预计，2023年主流需求将从HBM2e转向HBM3，预计需求占比分别约为50%和39%。随着更多基于HBM3的加速器芯片进入市场，需求将在2024年大幅转向HBM3，超过HBM2e，预计占据60%的市场份额。
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快照生成时间：2023-10-13 09:45:02
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