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三星电子完成16层堆叠hbm3内存验证
4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。
DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，该内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。
▲图源TheElec，下同
相较现有键合工艺，混合键合无需在DRAM内存层间添加凸块，而是将上下两层直接铜对铜连接，可显著提高信号传输速率，更适应AI计算对高带宽的需求。
混合键合还可降低DRAM层间距，进而减少HMB模块整体高度，但也面临成熟度不足，应用成本昂贵的问题。
三星电子在HBM4内存键合技术方面采用两条腿走路的策略，同步开发混合键合和传统的TC-NCF工艺。
结合下方图片和IT之家以往报道，HBM4的模块高度限制将放宽到775微米，有利于继续使用TC-NCF。
三星正努力降低TC-NCF工艺的晶圆间隙，目标在HBM4中将这一高度缩减至7.0微米以内。
不过TC-NCF技术也面临着质疑。DaeWooKim回击称三星电子的方案相较竞争对手SK海力士的MR-RUF更适合12层乃至16层的高堆叠模块。
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快照生成时间：2024-04-08 15:45:18
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