- 我的订阅
- 科技
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
三星确认下一代hbm3e、ddr5和v-nand第二季度推出
三星在其最新财报中提供了有关其数据中心产品组合的最新信息，确认下一代HBM3E、DDR5和V-NAND将于第二季度推出。这家韩国巨头报告说，它正在见证人工智能领域创纪录的增长，并将在这一领域推出多条新产品线。
首先，三星已开始量产其HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货8-Hi堆栈，随后将在第二季度推出12-Hi变体。下一代内存解决方案将在8模块芯片（如AMD的MI300X）上提供每个堆栈36GB的容量，最高可达288GB的产品。
据报道，AMD已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供HBM3EDRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。
在DDR5DRAM方面，三星将于2024年第二季度推出1b(nm)32Gb内存模块，并投入量产。这些内存IC将用于开发高达128GB的模块。三星已经向客户交付了下一代DDR5解决方案的首批样品。
最后，三星将在固态硬盘V-NAND领域推出64TB数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于2024年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第9代V-NAND固态硬盘。第9代V-NAND固态硬盘将采用QLC（四层单元）设计。有报道称，TLCV-NAND（第9代）将于本月开始生产，其传输速度将提高33%，达到3200MT/s。这些固态硬盘将采用最新的PCIeGen5标准。
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2024-05-02 09:45:02
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
