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三星组建hbm4独立团队，重振内存竞争力
5月10日消息，据韩媒TheElec报道，三星电子内部已对其HBM内存开发部门进行“双轨化”改造，以增强其在HBM业务上的竞争力。
具体而言，由现有DRAM设计团队负责HBM3E内存的后续研发工作，而三月成立的 HBM产能质量提升团队则专注开发下一代HBM内存——HBM4。
新设立的HBM专门开发团队由三星电子DRAM开发副总裁HwangSang-joon负责，直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工作，同时三星近期已将部分人力转移至该团队。
作为AI算力芯片的优秀辅助，HBM内存早已成为业界前沿热点。而下一代HBM4内存将在多个维度引入较大变化，在带来更多可能性的同时研发难度也随之提升：
一方面，HBM4内存在堆叠上将普及12层，首发16层，也带来了更大的晶圆翘曲风险；
另一方面，HBM4内存的基础裸片（BaseDie）将走向定制化，产品具体特性要跟随用户需求调整。
此外，根据近日报道，SK海力士已将其HBM4内存的12层堆叠版本的量产时间前移至2025年下半年，三星电子目前仍维持2026年的预设目标。
三星此番组建HBM4独立团队，意在化解内存开发难题，缩短开发周期，从而在HBM4节点重振HBM内存竞争力，从SK海力士手中夺回市场优势。
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快照生成时间：2024-05-11 09:45:29
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