我们正处于一个信息大暴发的时代,每天都能产生数以百万计的新闻资讯!
虽然有大数据推荐,但面对海量数据,通过我们的调研发现,在一个小时的时间里,您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯!
头条新闻资讯订阅,旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容,并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间,避免错过一些关键信息。
快科技3月19日消息,今天SK海力士宣布推出面向AI的超高性能12层(12Hi)HBM4内存,并在全球率先向主要客户出样,这也意味着SK海力士在高性能内存领域再次取得领先。
SK海力士的12Hi HBM4内存采用了24Gb DRAM芯片,并继续使用先进的MR-MUF(先进批量回流-模制底部填充)键合工艺。
该内存单封装容量达到36GB,带宽高达2TB/s,运行速度较上一代HBM3E提升了60%以上。
SK海力士强调,凭借其在HBM市场的技术竞争力和生产经验,公司能够比原计划更早地实现12层HBM4的样品出货,并已开始与客户的验证流程。
公司计划在2025年下半年完成量产准备,进一步巩固其在新一代AI存储器市场的领导地位。
日前还有报道称,SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E,预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。
反观竞争对手三星这边,HBM3E此前一直未能获得英伟达品质认证,而最新消息则是三星新HBM3E在日前英伟达的审核中获得令人满意的评分,预计最快6月初通过英伟达等的品质认证。

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技
责任编辑:黑白
文章内容举报
以上内容为资讯信息快照,由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录,本站未对信息做任何修改,信息内容不代表本站立场。
快照生成时间:2025-03-19 14:45:09
本站信息快照查询为非营利公共服务,如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址: