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11月27日消息,据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示,为了更妥善且健全的供应链管理,英伟达正规划加入更多的HBM供应商。
其中,三星的HBM3(24GB)预期于今年12月在NVIDIA完成验证。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应,如今三星、美光都将加入。这也意味着,三家存储龙头都将为英伟达供应HBM。
而HBM3e进度依据时间轴排列如下表所示:
美光已于今年7月底提供8hi(24GB)NVIDIA样品、SK海力士已于今年8月中提供8hi(24GB)样品,三星则于今年10月初提供8hi(24GB)样品。预期2024年第一季完成HBM3e产品验证。
HBM(HighBandwidthMemory)即高带宽存储器,属于图形DDR内存的一种,通过使用先进的封装方法(如TSV硅通孔技术)垂直堆叠多个DRAM,与GPU通过中介层互联封装在一起。
HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。CPU处理的任务类型更多,且更具随机性,对速率及延迟更为敏感,HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片,均搭载HBM内存。
HBM产品问世至今,HBM技术已经发展至第四代,分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3,第五代HBM3e已在路上。
四代HBM规格对比
至于下一代HBM新品HBM4(第六代),在堆栈的层数上除了现有的12hi(12层)外,也将再往16hi(16层)发展。
预计,HBM412hi将于2026年推出,而16hi产品则于2027年问世。
据悉,在HBM4中,将首次看到最底层的Logicdie(又名Basedie)将首次采用采用12nm制程晶圆,该部分将由晶圆代工厂提供,使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。
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快照生成时间:2023-11-28 06:45:07
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