- 我的订阅
- 科技
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
三星 9.8Gbps 速率 HBM3E 内存已出样
10月12日消息，据三星官方博客消息，面向高性能计算（HPC）的HBM内存迎来新进展，将开发9.8Gbps的HBM3E产品，已开始向客户提供样品。
此外，HBM4内存以2025年为目标正在开发中，为了适用于该产品，正在准备针对高温热特性优化的NCF组装技术和HCB技术。
IT之家注：NCF（Non-conductiveFilm，非导电薄膜）：用于保护积层芯片之间的固态接头（Solderjoint）免受绝缘和机械冲击的聚合物层（Polymerlayer）。
HCB（HybridCopperBonding，混合粘接）：作为新一代粘接技术，采用铜（导体）和氧化膜（绝缘体）的粘接方式，而不是传统的使用焊接方式。
今年年初，三星AVP（高级封装）业务团队成立，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。三星计划与HBM一起提供尖端定制封装服务，包括2.5维和3维尖端封装解决方案。
三星表示，用于AI服务的高端CPU需要100个以上的核心，并且每个核心都要有足够的内存。此外，为了在有限的封装中加载更多容量，最小化DRAM单芯片尺寸的工艺技术，以及在外形尺寸内正确放置组件并确保按照规格运行的设计技术也至关重要。
三星上个月发布了32GbDDR5DRAM内存，通过相同封装尺寸的架构改进，实现了16GbDRAM容量的两倍，从而无需TSV工艺即可制造128GB模块。三星表示，这使得降低成本、提高生产率成为可能，同时功耗也降低了10%。
TSV（ThroughSiliconVia，硅通孔）：一种封装技术，可以使芯片变薄，钻出数百个小孔，并连接垂直穿过顶部和底部芯片中的孔的电极。
三星官方在博客最后表示，未来将继续克服技术限制，开发出多种世界上前所未有的内存解决方案产品。特别是三星计划基于10纳米以下工艺，开发AI时代的超高性能、超高容量、超低功耗的存储器产品，并号称“将是DRAM市场的一个重大拐点”。
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2023-10-12 23:45:03
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
