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三星正研发一种新型内存，名为 LLW DRAM
1月10日消息，三星近日透露正积极研发一种新型内存，名为LLWDRAM，意为低延迟宽I/O(LowLatencyWideI/O)DRAM。据称，这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示，LLWDRAM特别适用于需要在设备上运行大型语言模型（LLM）的设备，但其广泛的性能优势也适用于各种客户端工作负载。
LLWDRAM是一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟特性，并拥有高达128GB/s的带宽（据推测是每个模块或堆栈）。相比之下，一个128位DDR5-8000内存子系统可以提供类似的128GB/s带宽。同时，LLWDRAM的另一个重要特性是其1.2pJ/bit的超低功耗，但三星并未透露其LLWDRAM在达到该功耗时的具体数据传输速率。
目前，三星并没有透露太多关于LLWDRAM的细节，但该公司此前一直致力于探索宽接口内存技术（例如GDDR6W）。外界推测，LLWDRAM可能借鉴了GDDR6W的技术，使用Fan-Out晶圆级封装(FOWLP)技术将多个DRAM器件集成到一个封装中，以扩展接口并兼顾容量、性能和低功耗。
考虑到三星于2022年第二季度将GDDR6W标准化，并计划将其用于人工智能、高性能计算加速器和客户端PC，LLWDRAM可能定位于其他领域。考虑到该标准的低功耗特性，可以将其应用于具有AI功能的边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑，甚至汽车领域。
注意到，三星很少透露其新技术何时上市，但从其公开该技术的预期性能来看，其研发进程应该已经接近尾声。
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快照生成时间：2024-01-11 15:45:03
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