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三星发布高速高带宽HBM3E内存 最高可达每Cell 16G
三星在最新的储存技术日活动中向公众展示了多项新产品，其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM，这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。
三星表示，“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps，其传输速率可达1.2TBps，这将有效降低整体拥有成本（TCO），加快数据中心的人工智能模型训练和推理任务的处理效率。为了实现更高效的层叠堆叠并改善散热效果，三星还优化了非导电薄膜(NCF)技术，从而消除芯片层之间的间隙，并最大限度地提高导热性。
目前，三星公司生产的8H和12HHBM3产品已进入批量生产阶段，而“Shinebolt”的样品也已向客户发货。该公司凭借其作为整体半导体解决方案提供商的优势，计划提供定制的turnkey服务，将下一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起。
除此之外，在此次储存技术日活动上，三星还展示了其他多款新品。其中包括具有业界最高容量的32GbDDR5DRAM、业界首款32GbpsGDDR7以及PB级PBSSD等产品。这些产品的引入显著提升了服务器应用程序的存储功能。
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快照生成时间：2023-10-22 00:45:03
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