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三星电子8nmemram技术开发基本完成
类别：科技 发布时间：2024-06-01 01:50:00 来源：浅语科技
5月31日消息，三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM研讨会”上表示，正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级，目前8nmeMRAM的技术开发已基本完成。
作为一种新型内存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM内存一样不断刷新数据，更为节能高效；
同时 MRAM的写入速度又是NAND的1000倍，支持对写入速率要求更高的应用。
▲eMRAM存储原理
eMRAM即面向嵌入式领域的MRAM。三星电子目前具有28nmeMRAM的生产能力，已在向智能手表等终端产品供货。
根据IT之家2023年的报道，三星电子当时表示计划在2024年量产14nmeMRAM；2026年量产8nm的eMRAM；到2027年将更进一步，实现5nm制程eMRAM量产。
目前三星电子已完成14nmeMRAM的开发，8nmeMRAM开发也基本完成，仍计划2027年推出5nmeMRAM。
三星电子认为未来车用领域对eMRAM的需求将持续增长，其产品目前耐温能力已达150~160℃，足以满足汽车行业对半导体的严苛要求。
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快照生成时间：2024-06-01 09:45:06
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