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三星、sk海力士推进移动dram堆叠封装技术应用
4月9日消息，据韩媒ETNews报道，三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用，该技术可提高移动设备的内存带宽。
端侧AI是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题，而实现端侧运行模型需要更强大的移动DRAM性能。堆叠芯片作为一种在HBM内存上行之有效的策略被纳入考虑。
然而，以LPDDR为代表的移动DRAM芯片较小，不适合与HBM相同的TSV（IT之家注：硅通孔）连接方案；同时HBM制造工艺的高成本低良率特性也不能满足高产能移动DRAM的需求。
因此三星电子、SK海力士采用了另一种先进封装方式来实现移动DRAM芯片堆叠，也就是垂直布线扇出技术VFO，该技术可提供更多的IO数据引脚。
SK海力士方面表示VFO技术将FOWLP和DRAM堆叠两项技术结合，通过垂直连接大幅缩短了电信号在多层DRAM间的传输路径，同时能效也有提升。
▲图源SK海力士官网
SK海力士给出的数据显示，其去年中的VFO技术验证样品在导线长度上仅有传统布线产品的不到1/4，能效也提升了4.9%。虽然该方案带来了额外1.4%的散热量，但封装厚度减少了27%。
根据ETNews的说法，三星方面采用类似技术的产品是LLWDRAM。LLWDRAM可实现低延迟和128GB/s的高带宽性能，同时能耗也仅有1.2pJ/b。
采用VFO技术的产品有望成为继HBM后的下一个AI内存热点。报道称三星计划于明年下半年实现LLWDRAM的量产；而SK海力士相关产品目前已在量产准备阶段。
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快照生成时间：2024-04-11 09:45:09
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