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三星电子开设一个新的R&D研究实验室
1月28日消息，三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室，专注于下一代3DDRAM芯片的开发。
该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的DRAM产品，以帮助三星继续引领全球3DDRAM市场。
三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32GbDDR5DRAM芯片，采用12nm级工艺打造，可生产出1TB的内存产品，从而巩固了三星在DRAM技术方面的领导地位。
IT之家注：Gb即兆位（Gbit），是DRAM密度单位，与GB（GByte）不同。一根内存条有多枚DRAM芯片，这些DRAM颗粒组合起来就是Rank（内存区块），大家常见的逻辑容量主要包括8GB、16GB、32GB这些，但也有128GB的服务器级内存，其中就使用了不等数量的DRAM芯片，目前美光官网列出的DDR5SDRAM产品都是16Gb和24Gb产品，三星官网DDR5SDRAM产品都是16Gb产品，SK海力士也是16Gb产品。
基于2013年全球首款3D垂直结构NAND（3DV-NAND）商业化的成功经验，三星电子的目标是主导DRAM3D垂直结构的开发。
在去年10月举行的“内存技术日”活动上，三星电子宣布计划在下一代10纳米或更低的DRAM中引入新的3D结构，而不是现有的2D平面结构。该计划旨在克服3D垂直结构缩小芯片面积的限制并提高性能，将一颗芯片的容量增加100G以上。
三星电子去年在日本举行的“VLSI研讨会”上发表了一篇包含3DDRAM研究成果的论文，并展示了作为实际半导体实现的3DDRAM的详细图像。
分析师预计，3DDRAM市场将在未来几年快速增长，到2028年将达到1000亿美元。三星和其他主要内存芯片制造商正在激烈竞争，以引领这一快速增长的市场。
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快照生成时间：2024-01-29 06:45:16
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