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三星预计 2024 年初开始量产下一代 NAND 内存
10月17日消息，三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。
三星电子存储业务主管李政培（LeeJung-Bae）称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。
他表示，三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。
他提到，“在即将到来的10nm以下DRAM和超过1000层的V-NAND芯片时代，新结构和新材料非常重要”。
当然，AI芯片对三星电子来说也至关重要。该公司目前已经开始生产HBM3高性能内存芯片。此外，它还在开发下一代HBM3E。
李政培说，三星希望为客户生产“定制”的HBM芯片。“我们正专注于恰当地应对与超级规模AI等新应用相关的要求”，“我们将继续推进内存芯片生产线，以克服多样化的需求和长内存芯片的交付周期。”
三星电子将于10月20日在硅谷举办三星存储器技术日2023活动，届时这家韩国芯片制造商将推出一些最新的存储器芯片技术和产品，IT之家届时也将为大家带来更多报道。
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快照生成时间：2023-10-18 00:45:04
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