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三星12纳米ddr5dram2023年量产
三星电子与AdvancedMicroDevices(AMD)合作开发了业界首款12纳米级DDR5动态随机存取存储器(DRAM)。这种新型DRAM将于2023年开始量产，预计将以其卓越的性能和更高的能效提升下一代计算、数据中心和人工智能(AI)应用的能力。
三星12纳米DDR5DRAM推进数据中心和人工智能应用
16GBDDR5DRAM是通过使用创新技术实现的，包括增加单元电容的新型高κ材料和改善关键电路特性的专有设计技术。这与先进的多层极紫外(EUV)光刻技术相结合，实现了业界最高的芯片密度，使晶圆生产率提高了20%。
利用最新的DDR5标准，三星的12纳米级DRAM将提供高达每秒7.2吉比特(Gbps)的速度，使其能够在一秒钟内处理两部30吉字节(GB)的超高清(UHD)电影。除了令人印象深刻的速度之外，新的DRAM还以其能效着称。它的功耗比以前的DRAM低23%，使其成为寻求更环保运营的全球IT公司的理想解决方案。
三星电子DRAM产品与技术执行副总裁JooyoungLee表示：“我们的12纳米范围DRAM将成为推动DDR5DRAM在市场范围内采用的关键推动力。”“凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新DRAM能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。”
通过与行业合作伙伴AMD的密切合作，12纳米级DDR5DRAM的开发成为可能。“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上优化和验证的DDR5内存产品，”AMD高级副总裁、公司研究员兼客户、计算和图形首席技术官乔·马克里(JoeMacri)说。
随着大规模生产将于2023年开始，三星计划将其基于这种尖端12纳米级工艺技术的DRAM产品线扩展到广泛的细分市场。公司将继续与行业伙伴合作，支持下一代计算的快速扩张。
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快照生成时间：2023-01-22 18:45:09
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