三星,样品,内存,电影,三星,开发头条新闻资讯订阅

我的订阅
头条热搜

我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！

虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！

头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。

三星交付HBM3E内存样品：秒传百部电影

10月18日消息，根据韩国媒体今天的报道，三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快对HBM3E的开发和营销，其有望追上SK海力士在该领域的步伐。HBM属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度...……更多

2023-10-18 20:59:00三星,样品,内存,电影,三星,开发

高通2nmap订单年底前完成，配套的 HBM 内存

据ETNews报道，高通已委托三星电子开发2nm原型芯片。如果三星制造的原型芯片达到该公司要求的性能和良率目标，可能会达成最终订单。原型开发是了解半导体性能和良率的过程。在半导体行业，它通常被称为“多项目晶圆”...……更多

2024-02-12 20:58:00高通,订单,内存,三星,晶圆,三星电子

三星、SK 加快 AI 半导体开发以响应 ChatGPT

三星电子和SK海力士正在加速下一代半导体技术的开发，以响应人工智能(AI)时代中ChatGPT等应用的需求。根据IT之家此前报道，三星电子已经开发出业界首款支持ComputeExpressLink（CXL）2.0的 128GBCXLD-RAM。相对的，SK海力士去年8月也开...……更多

2023-05-15 20:35:00三星,半导体,开发,内存,三星电子,下一代

三星 9.8Gbps 速率 HBM3E 内存已出样

10月12日消息，据三星官方博客消息，面向高性能计算（HPC）的HBM内存迎来新进展，将开发9.8Gbps的HBM3E产品，已开始向客户提供样品。此外，HBM4内存以2025年为目标正在开发中，为了适用于该产品，正在准备针对高温热特性优化...……更多

2023-10-12 20:22:00三星,速率,内存,三星,封装,技术

三星正在开发hbm4，已经量产了HBM2E和HBM3

...长，各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有，根据统计机构的数据，SK海力士占据了50%的市场份额，三星以40%紧随其后，剩下的10%被美光所占有。近日，三星执行副总裁...……更多

2023-10-14 02:48:00三星,正在,开发,三星,封装,芯片

三星电子完成16层堆叠hbm3内存验证

4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆...……更多

2024-04-08 12:02:00三星电子,三星,验证,内存,电子,三星电子

集邦咨询：2023年hbm需求同比增长58%

...2、HBM2E、HBM3和HBM3e。目前在HBM3研发最前沿的是SK海力士和三星两家公司，英伟达的H100/H800、AMD的MI300系列AI加速卡均采用HBM3。SK海力士和三星预计将在2024年第一季度提供HBM3e样品。另一方面，美国内存公司美光正在绕过HBM3，直接...……更多

2023-10-13 02:47:00需求,增长,咨询,三星,芯片,需求

三星量产12nm DDR5内存：功耗骤降23％

三星电子官方宣布，采用12nm级工艺的DDR5DRAM内存芯片已经开始量产。新内存单颗容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效频率7200MHz)，相当于每秒可处理两部30GB的超高清电影。对比上一代产品，12nmDDR5的功耗降低了多达23％，同时晶圆...……更多

2023-05-18 15:19:00三星,功耗,内存,三星,可处理,晶圆

三星量产12nm DDR5内存：功耗骤降23％、量产率提高

三星电子官方宣布，他们已经开始量产采用12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片。这种新内存具有每颗16Gb(2GB)的容量，最高速度可达7.2Gbps(等效频率7200MHz)，相当于每秒能处理两部30GB的超高清电影。相较于上一代产品，12nm DDR5内存的功...……更多

2023-05-19 02:00:00三星,功耗,内存,三星,晶圆,内存

三星发布高速高带宽HBM3E内存最高可达每Cell 16G

三星在最新的储存技术日活动中向公众展示了多项新产品，其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM，这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。三星表示，“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps，其传输速率可...……更多

2023-10-21 20:51:00三星,带宽,内存,高速,三星,产品

三星将展示gddr7技术

...界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，届时三星将展示其GDDR7技术，主题是“具有PAM3优化TRX均衡和ZQ校准的16Gb37Gb/sGDDR7DRAM”。GDDR7将采用PAM3编码，介于PAM4和NRZ之间，相比NRZ实现了更高的周期数据传输速率，同时降...……更多

2024-01-29 11:47:00三星,技术,三星,功耗,技术,内存

第五代HBM3e内存来了！三大存储巨头集体向英伟达供货

...供应链管理，英伟达正规划加入更多的HBM供应商。其中，三星的HBM3（24GB）预期于今年12月在NVIDIA完成验证。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应，如今三星、美光都将加入。这也意味着，三家存储龙头都将为英伟达供应HBM。而HBM...……更多

2023-11-27 20:27:00英伟,巨头,供货,集体,内存,存储

韩国人，卡住了英伟达的脖子？

...韩国人能量产。根据 Trendforce 数据，韩国的 SK 海力士和三星，他俩在 2023 年拿捏了全球 90% 的 HBM 内存产能。而两年市面上的 AI 芯片，什么 A100 A800 们，反正你能想到的，基本就没谁能离开 HBM 内存。所以，就在老黄的英伟达市...……更多

2024-04-02 10:50:00英伟,韩国,脖子,老黄,内存,力士

三星展示 GDDR7 显存：待机功耗比 GDDR6 低50%

10月21日消息，三星于2022年10月正式发布GDDR7显存，时隔1年，三星在圣何塞举办的存储技术日上，再次更新介绍了GDDR7显存。三星在新闻稿中表示，在过去1年中不断改善GDDR7显存的动态功耗，而且通过额外的时钟控制，待机功耗...……更多

2023-10-21 21:13:00三星,功耗,显存,待机,三星,显存

三星预计 2024 年初开始量产下一代 NAND 内存

10月17日消息，三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星电子存储业务主管李政培（LeeJung-Bae）称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的...……更多

2023-10-17 21:02:00三星,下一代,内存,三星,芯片,三星电子

三星、sk海力士推进移动dram堆叠封装技术应用

4月9日消息，据韩媒ETNews报道，三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用，该技术可提高移动设备的内存带宽。端侧AI是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题，而实现端侧运行模型需要更强大的移动DRAM性...……更多

2024-04-11 02:03:00三星,力士,封装,技术应用,移动,应用

三星：第二代3纳米和2纳米GAA技术开发均已步入正轨

【手机中国新闻】近日，全球电子巨头三星电子公布了最新的业绩报告，显示其内存业务和代工业务均取得了显著的成绩。报告中指出，内存业务的业绩较上一季度有所改善，代工业务也在顺利量产采用GAA技术的第三款产品，...……更多

2023-07-28 00:34:00纳米,二代,三星,正轨,技术开发,开发

三星宣布采用12纳米级32gbddr5dram工艺技术

9月1日消息，三星今日宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32GbDDR5DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍。三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoonHwang表示：在三星最新推出的12纳米级32Gb...……更多

2023-09-01 16:27:00三星,工艺技术,纳米,工艺,技术,三星

三星正在开发一种新型存储产品

...智能（AI）相关软硬件激增，为了应对超大规模的市场，三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品，包括DDR5、HBM类产品、CXL内存模块等，为各种人工智能技术提供动力。近日，三星官方介绍了旗下存储产品的开发和...……更多

2024-01-11 13:31:00存储产品,三星,存储,正在,开发,产品

三星电子将为宝马提供全新芯片

为了抵消移动市场的低迷，三星电子正在加快对汽车半导体领域的追求。不过，三星电子目前在汽车领域的重点是“信息娱乐”，即同时提供各种信息和娱乐的系统，不同于控制车辆的微控制器单元 (MCU)等模拟半导体。数字日...……更多

2023-02-21 14:16:00三星电子,宝马,三星,芯片,全新,电子

三星电子开设一个新的R&D研究实验室

1月28日消息，三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室，专注于下一代3DDRAM芯片的开发。该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的DRAM...……更多

2024-01-28 20:23:00三星电子,三星,实验室,实验,研究,电子

三星电子：正采取双轨ai半导体策略

4月1日消息，三星电子DS部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨AI半导体策略，同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。在AI用存储芯片部分，三星组建了由DRAM产品与技术负责人HwangSang-joon领导HB...……更多

2024-04-01 11:13:00三星电子,三星,半导体,策略,电子,三星

存储芯片界的CPO！英特尔、AMD等巨头争相布局CXL技术，

...年推出了基于PCIe 5.0的第一版规范。此后，AMD、英伟达、三星、Arm、瑞萨、IBM等以各种身份加入。近两年，CXL联盟扩展出超过165个成员，几乎涵盖了所有主要的CPU、GPU、内存、存储和网络设备制造商。而在技术上，2022年，Gen-Z联...……更多

2023-06-18 15:00:00英特,英特尔,争相,巨头,上市公司,布局

三星首款7.5gbpslpcamm内存细节曝光

9月27日消息，三星电子昨日宣布已开发出其首款7.5Gbps（IT之家注：0.9375GB/s）低功耗压缩附加内存模组（LPCAMM）形态规格，同时集合了体积小巧和可拆卸的优点，将于2024年商业化。消息发布后，外媒anandtech拿到了有关这款LPCAMM内...……更多

2023-09-28 03:46:00三星,细节,内存,内存,三星,颗粒

三星12纳米ddr5dram2023年量产

三星电子与AdvancedMicroDevices(AMD)合作开发了业界首款12纳米级DDR5动态随机存取存储器(DRAM)。这种新型DRAM将于2023年开始量产，预计将以其卓越的性能和更高的能效提升下一代计算、数据中心和人工智能(AI)应用的能力。三星12纳米DD...……更多

2023-01-22 16:53:00三星,纳米,三星,纳米,能效,三星电子

国产芯片被三星采用，新CXL 2.0内存使用国产主控

2023-05-12 14:41:43 作者：孟令曦三星公司今天宣布开发出首款支持CXL 2.0的128GB内存，这是继2022年5月份首发CXL 1.1内存之后的一个重要突破。CXL 2.0内存支持PCIe 5.0接口，带宽达到了35GB/s，容量为128GB。三星计划在今年晚些时候正式量...……更多

2023-05-12 16:00:00国产,主控,三星,芯片,内存,电商