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消息称三星电子有意引入 SK 海力士的 MUF 封装工艺
IT之家 3 月 13 日消息,路透社表示,三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。三位直接知情人士称,三星已经发出了处理 MR-MUF 技术...……更多
三星、sk海力士推进移动dram堆叠封装技术应用
4月9日消息,据韩媒ETNews报道,三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用,该技术可提高移动设备的内存带宽。端侧AI是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题,而实现端侧运行模型需要更强大的移动DRAM性...……更多
内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出
...12层3D-TSV技术。2023年,在日本举行的“VLSI研讨会”上,三星电子发表了一篇包含3D DRAM研究成果的论文,并展示了3D DRAM芯片内部结构的图像。据消息人士称,2023年5月,三星电子在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,大规...……更多
消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
IT之家 9 月 3 日消息,韩媒 etnews 当地时间昨日报道称,三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源,计划将...……更多
消息称三星电子半导体业务危机蔓延至人才领域,大批员工考虑跳槽
...家 10 月 22 日消息,韩媒 The Elec 当地时间昨日报道称,在三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部面临先进制程竞争力不强、HBM 内存向大客户交付迟缓两大危机的背景下,大批 DS 部门员工纷纷考虑跳槽至竞争对手 SK 海...……更多
三星电子完成16层堆叠hbm3内存验证
4月7日消息,综合韩媒TheElec和ETNews报道,三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示,三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆...……更多
行业研究:AI芯片加速HBM发展 产业链获高度关注
...材料领域占据全球领先地位,产品主要供应于SK海力士、三星电子等半导体存储器芯片龙头。大极实业(600667): 公司是SK海力士的核心封测供应商,为后者的DRAM产品提供后工序服务。通富微电(002156): 公司2.5D/3D生产线建成后...……更多
消息称三星 Exynos 2400 将采用FOWLP封装工艺
...关键技术,也是三星追赶台积电的重要法宝之一。消息称三星电子目前正在积极推进FOWLP工艺,即将应用于芯片的大规模量产中。目前半导体芯片封装主流需要芯片连接到PCB(印刷电路板)上来堆叠它们,而FOWLP不需要PCB,因为...……更多
三星电子、sk海力士、美光盯上博通hbm3e订单
...道,继争夺英伟达及AMD的AIGPU/加速器用HBM3E内存合同后,三星电子、SK海力士、美光不约而同地盯上了芯片设计大厂博通的HBM3E订单。博通去年实现了299.5亿美元(IT之家备注:当前约2165.39亿元人民币)的半导体相关收入,在无厂...……更多
sk海力士将与台积电建立ai半导体战略
...已制定了OneTeam战略,将与台积电建立AI半导体同盟,对抗三星电子在AI半导体领域交钥匙方案的威胁。据了解,SK海力士这一战略的内容主要包括与台积电一同开发下一代HBM内存—— HBM4。根据IT之家早前报道,SK海力士计划于2026...……更多
三星HBM4计划2025年首次亮相
...10%属于美光。今天三星发表了一篇采访文章,受访对象是三星电子产品规划办公室高级副总裁KimKyung-ryun和三星电子HBM的DRAM开发办公室高级副总裁Jae-YoonYoon,其中介绍了三星在HBM的开发情况。三星再次重申了HBM4正在开发当中,将...……更多
三星电子重申 SF1.4 工艺有望2027年量产,将进军共封装光学领域
IT之家 6 月 13 日消息,三星电子在当地时间 6 月 12 日举行的三星代工论坛 2024 北美场上重申,其 SF1.4 工艺有望于 2027 年量产,回击了此前的媒体传闻。三星表示其 1.4nm 级工艺准备工作进展顺利,预计可于 2027 年在性能和良率...……更多
三星拒绝降价 全球DRAM芯片价格将触底反弹?
本文转自:中国电子报三星拒绝降价 全球DRAM芯片价格将触底反弹?本报记者 许子皓存储芯片作为最具有周期性的芯片品类之一,一向有着半导体行业的“晴雨表”之称,但此次下行周期的下跌幅度和持续时间都超出了业界预...……更多
业务不顺人心思变,消息称部分三星电子员工考虑转投 SK 海力士
...金融时报》报道,三星正面临多重内部危机:除韩国全国三星电子工会领导的大规模罢工外,还有部分三星电子员工考虑转投SK 海力士。一位匿名的三星电子芯片工程师向英媒表示,即使三星电子更换了 DS(设备解决方案)部负...……更多
sk海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用
5月30日消息,随着DRAM小型化的不断推进,SK海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。据TheElec,SKHynix计划在第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶(MOR),这是MOR首次应用于DRAM量...……更多
三星全年利润暴跌85%
...旧的储存芯片已经不再是客户的宠儿。消费电子寒冬韩国三星电子公司1月9日发布的初步数据显示,这家企业2023年营业利润为6.54万亿韩元(约合356亿元人民币),同比下降84.92%。按年度计算,这是自2008年全球金融危机爆发时的6...……更多
sk海力士hbm3e开始量产
...能存储器供应商’的地位。”除SK海力士外,其竞争对手三星电子和美光也已经在向Nvidia提供HBM3E样品,但它们还需要完成最终的质量认证测试,以确保产品能够达到出货质量要求,而SK海力士比预先安排的档期提前了至少两个月...……更多
2025年HBM市场空间将达百亿美元!英伟达计划增加供应商
...英伟达正在与SK海力士共同探讨HBM4“颠覆性”集成方式,三星和SK海力士准备将HBM的产量提升至2.5倍,美光也积极布局HBM市场。预计到2030年,HBM出货量将达到每年1亿颗。最新消息显示,英伟达正在规划加入更多的HBM供应商,以...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
韩国将HBM内存上升为国家战略!三星等可享40%税收减免
...国将把高带宽内存(HBM)技术指定为国家战略技术,并向三星电子和SK海力士等开发该技术的企业提供税收优惠。报道称,这一决定是2023年底在国会通过的,税法修正案后的执行令草案的一部分。最主要的变化就是,扩大了有资...……更多
三星和SK海力士正受益于HBM订单热潮
...在生产为此所必需的所有高性能DRAM。自今年年初以来,三星电子和SK海力士的高带宽存储器(HBM)订单一直在激增。与其他DRAM相比,HBM 通过垂直连接多个DRAM显着提高了数据处理速度。它们与中央处理器(CPU)和图形处理器(GPU)...……更多
集邦咨询:2023年hbm需求同比增长58%
...星正在积极开发HBM4,目标是在2025年开始供货。据报道,三星电子正在开发诸如用于优化高温热特性的非导电粘合膜(NCF)组装以及混合键合(HCB),适用于HBM4产品。虽然HBM4有望取得重大突破,但仍有一段路要走,因此现在讨论...……更多
三星西安工厂获美国无限期豁免,已开始大规模扩张
10月16日消息,上周一,三星电子和SK海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。对于三星来说这无疑是一个好消息,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据BusinessKor...……更多
三星量产全球最薄LPDDR5X内存!可预留更多空间散热
...载的设备端生成式AI应用中,能够实现更佳的性能表现。三星电子内存产品规划执行副总裁Bae YongCheol表示,新的LPDDR5X DRAM为高性能设备端AI解决方案树立了新标准,提供了卓越的性能和先进的热管理。展望未来,三星计划将超薄...……更多
被人笑话的三星3nm,搞出全球首颗GAA芯片
豪赌GAA,风险很大。就在几天前,三星电子创造了半导体史上一个“不光彩”的记录——有韩媒爆料称,三星自家的Exynos 2500 芯片目前良率略低于 20%,而在试生产该处理器时,最后统计出的良率竟然为0%。紧接着,知名分析师...……更多
英伟达需求太火爆吗 SK海力士:黄仁勋要求HBM4芯片提前6个月交货!
...片组至关重要。市场需求十分火爆。不过与此同时,来自三星电子和美光科技等对手的竞争越来越激烈。HBM是一款新型的CPU/GPU 内存芯片,简而言之就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组...……更多
英伟达赚疯背后,三家存储芯片公司的一场「All in」丨焦点分析
...已经被预定一空,目前正在为明年做准备。到了2月27日,三星也迫不及待拿出有史以来最大容量的HBM产品——首款12层堆叠的HBM3E,容量达到了36GB。作为一种全新的内存芯片,HBM不仅内存带宽更大,还能搭配在GPU和CPU上使用,适...……更多
hbm4高度限制对内存影响有多大?
...在3D堆叠技术方面,目前SK海力士在HBM上采用MR-RUF工艺,三星电子则使用TCNCF路线,两者的共同之处在于使用凸块实现层层连接。三星宣称在其近期推出的HBM3E12H产品上,通过对NCF材料的优化,芯片之间的间隙已降低至7微米。不过...……更多
Exynos 2500是三星首款第二代3nm智能手机SoC
...接近台积电的进展,但仍落后于台积电。产率降低意味着三星电子生产每片3nm晶圆的成本将增加,这将提高Exynos2500的成本。值得庆幸的是,该公司有几个月的时间进入大规模生产阶段,到那时,如果它能将这些产量提高到65%,...……更多
SK海力士在研究低温蚀刻设备,下一代3D闪存可能在-70℃低温下生产
...与1的氟化氢气体,这将大幅减少温室气体的排放。同时三星也在验证这一新技术,与SK海力士不同的是,三星是直接引进东京电子的新设备进行测试。【来源:超能网】 ……更多
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