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随着3D NAND的堆叠层数越来越多,厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率,SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备,该设备可以在-70℃的低温下运行,用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度是传统工具的三倍,对多层数的3D NAND非常有用。
根据thelec的消息,SK海力士正在把测试晶圆发送到东京电子的实验室,而不直接进口设备,很明显是在评估新设备的能力。当前的蚀刻工艺是在0℃到30℃的温度范围内工作的,而东京电子的蚀刻设备在-70℃低温下运行,这形成了鲜明的对比,根据他们的论文数据,新的蚀刻机可以在33分钟内进行10微米深的高深度比蚀刻,比现有工具快三倍以上,这一成果是一项重大的技术进步,而且大大提升了3D NAND的生产效率。
SK海力士现在的321层3D NAND据说采用了三重堆栈结构,采用东京电子的新设备后可能以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3D NAND,生产效率明显提高,当然这能否成功还得看设备的可靠性以及性能一致性。
此外SK海力士考虑应用低温蚀刻设备的另一个原因是减少碳排放,现有的蚀刻工艺中,使用的是具有较高全球变暖潜能值(GWP)的碳氟化合气体,如四氟化碳和八氟丙烷,其GWP分别为6030和9540,但东京电子新一代蚀刻设备使用的是GWP小与1的氟化氢气体,这将大幅减少温室气体的排放。
同时三星也在验证这一新技术,与SK海力士不同的是,三星是直接引进东京电子的新设备进行测试。
【来源:超能网】
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快照生成时间:2024-05-07 16:45:01
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