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SK海力士宣布,通过321层4DNAND样品的发布,正式成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司。
SK海力士宣布,将进一步完善321层NAND闪存,并计划于2025年上半期开始量产。
附SK海力士321层1TbTLCNAND介绍如下:
321层1TbTLCNAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高,在相同芯片上实现更大存储容量,进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。
此外,SK海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案:采用PCIe5(Gen5)接口的企业级固态硬盘(EnterpriseSSD,eSSD)及UFS4.0。
SK海力士还表示,公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上,正在积极开发下一代PCI6.0和UFS5.0产品,以致力于在未来继续引领市场。
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快照生成时间:2023-08-10 15:45:19
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