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SK 海力士展示新型 PLC：采用双 2.5 bit 单元
8月20日消息，三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层；而SK海力士计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。
实际上，提高存储密度的手段除了提高层数外也还包括其他方案。目前，4bit单元（QLC）型3DNAND闪存已经实现商业化，而且SSD受益于此也已经变成了“白菜价”。
虽然SSD目前已经有开始涨价的迹象，但几家大厂已经开始研发下一代的5bit单元（PLC）方案，相信接下来大家就能用上容量更大、速度更快的固态硬盘。
在FMS2023闪存峰会上，SK海力士就展示了其新型PLC（5-BitMLC）技术的研究成果。
这一技术原理上类似铠侠2019年开发的TwinBiCSFLASH技术，简单来说就是用两个2.5bit单元，这样双线程同时写入的话一定会比5bit存储快得多。
在5bit单元中，一个存储单元中可以包含32个不同的阈值电压（IT之家注：即25），而常规方式下用PLC写入并验证32个不同的阈值电压所需时间是TLC的近20倍，这显然是用户无法接受的。
因此，SK海力士设计了一种新型PLC，将一个5bit单元分为两个2.5bit点位，每个点也存储2.5bit。然后综合各个点的数据获得5bit数据，这样就可以使PLC写入时间与TLC（3bit单元）大致相同。
实际上，Solidigm一年前已经展示过首款采用PLC-NAND的SSD，它沿用了当前QLC-NAND一样的192层闪存，但由于每个单元由5bit（而非4bit）点组成，其密度增加至23.3Gbit/mm²，创下了最高记录；而凭借321层的第9代新型TLC-NAND，预计SK海力士有望达到20Gbit/mm²以上的密度。当然，更多的层数也意味着更多的工作步骤和更高的成本，预计早期产品依然还会很贵。
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快照生成时间：2023-08-21 06:45:03
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