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三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
10月19日消息，三星是全球最大的NAND闪存供应商，对其V-NAND（即三星称之为的3DNAND）的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过300层的第九代V-NAND闪存，并表示这将是业内层数最多的3DNAND。
“第九代V-NAND基于双层结构，层数达到业界最高水平，明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培（LeeJung-Bae）在博客文章中写道。
IT之家注意到，8月份就有消息称，三星正在研发拥有超过300层的第九代V-NAND，将继续采用三星在2020年首次使用的双层技术。而且三星现在表示其3DNAND的有效层数将超过竞争对手，目前我们知道SK海力士的下一代3DNAND将具有321层，因此三星第九代V-NAND层数应该会更多。
层数的增加将使三星提高其3DNAND设备的存储密度。该公司预计，未来的闪存类型不仅会提高存储密度，还会提高性能。
“三星还在研究下一代创造价值的技术，包括一种新的结构，可以最大化V-NAND的输入/输出（I/O）速度。”李政培说。
目前还不知道三星的第九代V-NAND在性能方面会有什么表现，不过相信该公司会使用这种存储器来生产其即将推出的固态硬盘，可能会采用PCIeGen5接口。
至于更长期的技术创新，三星致力于最小化单元干扰、降低高度和最大化垂直层数，这将使其能够实现业内最小的单元尺寸。这些创新将对推动三星实现拥有超过1000层的3DNAND以及高度差异化的存储器解决方案的愿景起到关键作用。
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快照生成时间：2023-10-20 06:45:07
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