- 我的订阅
- 科技
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
hbm4高度限制对内存影响有多大？
3月12日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会有望放宽对HBM4内存的高度限制，内存厂商无需被迫转向混合键合。
作为对DRAM进行3D堆叠的产品，z轴封装高度限制对HBM内存有着很大影响。目前HBM内存最大DRAM堆叠层数为12层，允许的最大厚度为720微米（IT之家注：微米即µm，10-6米）。
在3D堆叠技术方面，目前SK海力士在HBM上采用MR-RUF工艺，三星电子则使用TCNCF路线，两者的共同之处在于使用凸块实现层层连接。
三星宣称在其近期推出的HBM3E12H产品上，通过对NCF材料的优化，芯片之间的间隙已降低至7微米。
不过未来HBM4内存将提升至最多16层，在DRAM芯片本身的总厚度进一步提升的背景下，凸块厚度开销成为重要问题。
业界有看法认为，若HBM4保持720微米最大厚度不变，则无法使用传统技术实现16层DRAM堆叠。
而混合键合技术无需凸块，让各DRAM层间更致密，可降低DRAM堆叠高度。但混合键合在HBM内存中相对传统方案过于昂贵，且尚未成熟，因此内存厂商尽可能避免使用此技术。
▲采用TC键合和混合键合的HBM内存对比。图源XPERI
据ZDNetKorea称，JEDEC主要参与方已同意放宽HBM4高度限制至775微米，这意味着各大内存厂商可在HBM4上继续沿用现有路线，为混合键合HBM内存的商业化留出更多时间。
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2024-03-13 09:45:10
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
