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近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%属于美光。
今天三星发表了一篇采访文章,受访对象是三星电子产品规划办公室高级副总裁KimKyung-ryun和三星电子HBM的DRAM开发办公室高级副总裁Jae-YoonYoon,其中介绍了三星在HBM的开发情况。三星再次重申了HBM4正在开发当中,将于2025年首次亮相。不过三星并没有公布其HBM4的代号,之前的HBM3和HBM3E的代号分别是“Icebolt”和“Shinebolt”。目前三星提供的最顶级HBM产品是今年2月推出的12层堆叠HBM3E,拥有36GB容量,数据传输速率达到了9.8Gbps,提供了高达1280GB/s的带宽,比起之前的8层堆栈产品均提高了50%,是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。
据三星介绍,随着硬件的多功能性变得更加重要,HBM4在设计上也会针对不用的服务应用进行优化,计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片(比如8/12/16层堆叠)来应对。为了解决功耗墙的问题,首个创新将从使用逻辑工艺的基础芯片开始,随后是第二个创新,从当前2.5DHBM逐步发展到3DHBM,最后预计会出现第三次创新,比如HBM-PIM,也就是具备计算功能的内存半导体技术,这点之前三星已经有过介绍。
之前还有传言称,下一代HBM4在设计会有重大的变化,内存堆栈将采用2048位接口,三星还会引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜(NCF)组装技术和混合键合(HCB)技术。
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快照生成时间:2024-04-22 21:45:02
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