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三星西安工厂获美国无限期豁免，已开始大规模扩张
10月16日消息，上周一，三星电子和SK海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。
对于三星来说这无疑是一个好消息，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据BusinessKorea报道，三星电子高层已决定将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并已开始大规模扩张。
消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产第8代NAND的设备，这也被业界视为克服全球NAND需求疲软导致产能下降的战略步骤。
公开资料显示，三星（中国）半导体有限公司2012年落户西安高新区，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。
该工厂于2020年增设了第二期工厂项目，目前已发展成为全球最大的NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆，这占据了三星NAND总产量的40%以上。
三星西安工厂第一工厂投资108.7亿美元（IT之家备注：当前约794.6亿元人民币），2017年开始建造的第二工厂，先后投资了150亿美元（当前约1096.5亿元人民币）。
外媒认为，三星决定升级其西安工厂的原因有两个。其一主要在全球NAND市场环境没有表现出明显的复苏迹象，而在这种情况下三星需要保持其在NAND市场的全球领导地位；另一个原因就是美国刚刚发布的无限期豁免。
由于产能严重过剩，再加上去年年底以来全球IT市场需求严重低迷，半导体市场疲软严重影响了三星的NAND业务，导致库存水位一直增加，进而导致亏损不断扩大。即使在通过减产政策略降低产量后略有改善，但目前三星依然需要尽快实现工艺升级。
通过升级最新的第8代NAND产品，三星不仅可以确保价格竞争力，而且考虑到第8代NAND相比第6代晶圆投入减少约30%，更能平衡市场供应和需求。
据称，作为第6代（128层）V-NAND主要生产基地，西安工厂自三星4月份宣布减产以来，其开工率也出现了大幅下降，目前整体开工率已降至20%左右。
外媒认为，美国虽然暂时放宽了对中国半导体设备的限制，但这对于三星和SK海力士来说仅仅只是一个暂时的喘息机会。
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快照生成时间：2023-10-17 06:45:05
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