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5月30日消息,随着DRAM小型化的不断推进,SK海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。
据TheElec,SKHynix计划在第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶(MOR),这是MOR首次应用于DRAM量产工艺。
消息人士称,SKHynix量产的1cDRAM上有五个极紫外(EUV)层,其中一层将使用MOR绘制。他还补充说,“不仅SK海力士,三星电子也将追求这类无机PR材料。”
查询公开资料获悉,Inpria是日本化学公司JSR的子公司,也是无机光刻胶领域的领导者;而MOR则被认为是目前用于先进芯片光刻的化学放大光刻胶(CAR)的下一代产品。
此外,该公司自2022年以来就一直与SKHynix合作进行MOR研究。SKHynix此前曾表示,使用Sn(基)氧化物光刻胶将有助于提高下一代DRAM的性能并降低成本。
TheElec报道还指出,三星电子也在考虑将MOR应用于1cDRAM,目前三星电子在1cDRAM上应用了6至7个EUV层,而美光则只应用了1层。
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快照生成时间:2024-05-30 13:45:03
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