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消息称三星电子有意引入 SK 海力士的 MUF 封装工艺
IT之家 3 月 13 日消息,路透社表示,三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。三位直接知情人士称,三星已经发出了处理 MR-MUF 技术...……更多
三星、sk海力士推进移动dram堆叠封装技术应用
4月9日消息,据韩媒ETNews报道,三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用,该技术可提高移动设备的内存带宽。端侧AI是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题,而实现端侧运行模型需要更强大的移动DRAM性...……更多
三星电子完成16层堆叠hbm3内存验证
4月7日消息,综合韩媒TheElec和ETNews报道,三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示,三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆...……更多
行业研究:AI芯片加速HBM发展 产业链获高度关注
...材料领域占据全球领先地位,产品主要供应于SK海力士、三星电子等半导体存储器芯片龙头。大极实业(600667): 公司是SK海力士的核心封测供应商,为后者的DRAM产品提供后工序服务。通富微电(002156): 公司2.5D/3D生产线建成后...……更多
消息称三星 Exynos 2400 将采用FOWLP封装工艺
...关键技术,也是三星追赶台积电的重要法宝之一。消息称三星电子目前正在积极推进FOWLP工艺,即将应用于芯片的大规模量产中。目前半导体芯片封装主流需要芯片连接到PCB(印刷电路板)上来堆叠它们,而FOWLP不需要PCB,因为...……更多
三星电子、sk海力士、美光盯上博通hbm3e订单
...道,继争夺英伟达及AMD的AIGPU/加速器用HBM3E内存合同后,三星电子、SK海力士、美光不约而同地盯上了芯片设计大厂博通的HBM3E订单。博通去年实现了299.5亿美元(IT之家备注:当前约2165.39亿元人民币)的半导体相关收入,在无厂...……更多
sk海力士将与台积电建立ai半导体战略
...已制定了OneTeam战略,将与台积电建立AI半导体同盟,对抗三星电子在AI半导体领域交钥匙方案的威胁。据了解,SK海力士这一战略的内容主要包括与台积电一同开发下一代HBM内存—— HBM4。根据IT之家早前报道,SK海力士计划于2026...……更多
三星HBM4计划2025年首次亮相
...10%属于美光。今天三星发表了一篇采访文章,受访对象是三星电子产品规划办公室高级副总裁KimKyung-ryun和三星电子HBM的DRAM开发办公室高级副总裁Jae-YoonYoon,其中介绍了三星在HBM的开发情况。三星再次重申了HBM4正在开发当中,将...……更多
三星电子重申 SF1.4 工艺有望2027年量产,将进军共封装光学领域
IT之家 6 月 13 日消息,三星电子在当地时间 6 月 12 日举行的三星代工论坛 2024 北美场上重申,其 SF1.4 工艺有望于 2027 年量产,回击了此前的媒体传闻。三星表示其 1.4nm 级工艺准备工作进展顺利,预计可于 2027 年在性能和良率...……更多
sk海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用
5月30日消息,随着DRAM小型化的不断推进,SK海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。据TheElec,SKHynix计划在第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶(MOR),这是MOR首次应用于DRAM量...……更多
三星全年利润暴跌85%
...旧的储存芯片已经不再是客户的宠儿。消费电子寒冬韩国三星电子公司1月9日发布的初步数据显示,这家企业2023年营业利润为6.54万亿韩元(约合356亿元人民币),同比下降84.92%。按年度计算,这是自2008年全球金融危机爆发时的6...……更多
sk海力士hbm3e开始量产
...能存储器供应商’的地位。”除SK海力士外,其竞争对手三星电子和美光也已经在向Nvidia提供HBM3E样品,但它们还需要完成最终的质量认证测试,以确保产品能够达到出货质量要求,而SK海力士比预先安排的档期提前了至少两个月...……更多
2025年HBM市场空间将达百亿美元!英伟达计划增加供应商
...英伟达正在与SK海力士共同探讨HBM4“颠覆性”集成方式,三星和SK海力士准备将HBM的产量提升至2.5倍,美光也积极布局HBM市场。预计到2030年,HBM出货量将达到每年1亿颗。最新消息显示,英伟达正在规划加入更多的HBM供应商,以...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
韩国将HBM内存上升为国家战略!三星等可享40%税收减免
...国将把高带宽内存(HBM)技术指定为国家战略技术,并向三星电子和SK海力士等开发该技术的企业提供税收优惠。报道称,这一决定是2023年底在国会通过的,税法修正案后的执行令草案的一部分。最主要的变化就是,扩大了有资...……更多
集邦咨询:2023年hbm需求同比增长58%
...星正在积极开发HBM4,目标是在2025年开始供货。据报道,三星电子正在开发诸如用于优化高温热特性的非导电粘合膜(NCF)组装以及混合键合(HCB),适用于HBM4产品。虽然HBM4有望取得重大突破,但仍有一段路要走,因此现在讨论...……更多
三星西安工厂获美国无限期豁免,已开始大规模扩张
10月16日消息,上周一,三星电子和SK海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。对于三星来说这无疑是一个好消息,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据BusinessKor...……更多
英伟达赚疯背后,三家存储芯片公司的一场「All in」丨焦点分析
...已经被预定一空,目前正在为明年做准备。到了2月27日,三星也迫不及待拿出有史以来最大容量的HBM产品——首款12层堆叠的HBM3E,容量达到了36GB。作为一种全新的内存芯片,HBM不仅内存带宽更大,还能搭配在GPU和CPU上使用,适...……更多
hbm4高度限制对内存影响有多大?
...在3D堆叠技术方面,目前SK海力士在HBM上采用MR-RUF工艺,三星电子则使用TCNCF路线,两者的共同之处在于使用凸块实现层层连接。三星宣称在其近期推出的HBM3E12H产品上,通过对NCF材料的优化,芯片之间的间隙已降低至7微米。不过...……更多
Exynos 2500是三星首款第二代3nm智能手机SoC
...接近台积电的进展,但仍落后于台积电。产率降低意味着三星电子生产每片3nm晶圆的成本将增加,这将提高Exynos2500的成本。值得庆幸的是,该公司有几个月的时间进入大规模生产阶段,到那时,如果它能将这些产量提高到65%,...……更多
SK海力士在研究低温蚀刻设备,下一代3D闪存可能在-70℃低温下生产
...与1的氟化氢气体,这将大幅减少温室气体的排放。同时三星也在验证这一新技术,与SK海力士不同的是,三星是直接引进东京电子的新设备进行测试。【来源:超能网】 ……更多
sk海力士32gbddr5内存颗粒已官宣
...善电容性能,进而降低功耗。参考IT之家以往报道,目前三星电子和美光均已官宣32GbDDR5内存颗粒。其中三星的32GbDDR5DRAM按计划已于去年底开始量产,美光的对应产品也将在今年推出。 ……更多
...日早间,记者以投资者身份致电这两家公司在华供应商。三星电子的供应商—歌尔股份证券部工作人员表示,此次三星在华限制解除对国内半导体行业来说是好消息。作为SK海力士产业链合作伙伴,太极实业证券与法务部工作人...……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...前段时间,一则小道消息的传出引起了不少人的关注:“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后,仅过来几天时间,韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权,已被列入清单的设备可以无限制...……更多
4月1日消息,三星电子DS部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨AI半导体策略,同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。在AI用存储芯片部分,三星组建了由DRAM产品与技术负责人HwangSang-joon领导HB...……更多
三星发布先进芯片工艺路线图:新版2纳米制程2027年量产,研发生产时间缩短20%
6月13日,三星电子在“2024年三星代工论坛”上,发布未来多项芯片技术的进展,并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务,整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务,以更快地生产人工智能芯片,以利用人工...……更多
英特尔独中200亿美元“大礼包” 台积电和三星仍看菜下碟?
...表示该地技术水平将取决于从美国政府获得的补贴程度。三星电子计划在德州达拉斯投资173亿美元建设产线,但遇到的问题与台积电大同小异。韩利杰认为,建厂的实际落地进度一拖再拖,看人下菜的意味浓重。还要看到的是,...……更多
韩媒:三星电子和sk海力士已实现nand产线满负荷运行
...消息,韩媒ETNews援引业内人士的话称,韩国两大存储巨头三星电子和SK海力士目前的通用DRAM内存产能利用率维持在80~90%水平。韩媒宣称,这一情况同主要企业已实现生产正常化的NAND闪存产业形成鲜明对比:除铠侠外,三星电子...……更多
三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
3月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级...……更多
分析师:英伟达正在刺激三星与sk海力士之间的竞争
...,据韩媒BusinessKorea援引分析师消息称,英伟达正在刺激三星电子与SK海力士之间的竞争,这两家企业当前正处于HBM(IT之家注:高带宽内存)市场的“头部”地位。在三星电子宣布要加强“技术领先”地位的同时,有迹象表明HBM...……更多
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