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...S 封装技术继任者可以封装逻辑电路、8 个 HBM3 / HBM3E 内存堆栈、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以达到 2831 平方毫米，最大基板尺寸为 80×80 毫米。消息称 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用这种技术。I……更多
2024-04-28 09:35:00堆栈,芯片,封装,堆栈,尺寸,技术
...先进的封装技术了。随着技术进步和市场需求的变化，HBM堆栈的密度也在增加，有机构统计，按照当下的势头发展下去，将从2022年的16GB增加到2027年的48GB，DRAM大厂美光更加乐观，预计2026年将出现64GB的HBMNext（HBM4），堆叠层数能...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...，同时保持更高带宽、更低功耗以及增加每个芯片和/或堆栈容量等基本功能。这些进步对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用程序至关重要，包括生成式人工智能 （AI）、高性能计算、高端显卡和服务器。具体来说，...……更多
2024-07-15 16:46:00堆栈,定型,堆栈,英伟,封装,标准
... (HBM) 的未来至关重要。HBM 是控制逻辑芯片顶部的 DRAM die 堆栈（目前有 8-12 个 die 高）。HBM 通常与高端 GPU 放置在同一封装中，对于处理运行 ChatGPT 等大型语言模型所需的海量数据至关重要。如今，HBM die 采用微凸点（microbump）...……更多
2024-08-13 09:36:00半导体,芯片,制造,晶圆,芯片,混合
...桥接，为水平集成封装技术），以及3D的Foveros（采用异质堆栈逻辑处理运算，可以把各个逻辑芯片堆栈一起）两大类。首先，2.5D的EMIB主要应用于逻辑运算芯片和高带宽内存的拼接，目前发布的Intel Xeon Max系列、Intel Data Cneter GPU M...……更多
2024-02-01 11:25:00英特,达纳,英伟,英特尔,供应,封装
...在推理工作负载方面表现更为出色。
MI300XAI加速卡软件堆栈升至ROCm6.0，改善支持生成式AI和大型语言模型。
新的软件堆栈支持最新的计算格式，如FP16、Bf16和FP8（包括Sparsity）。架构：AMDInstinctMI300X是最受关注的芯片，因为它针...……更多
2023-12-08 05:06:00英伟,加速器,旗舰,芯片,堆栈,加速卡
...备192GBHBM3E内存，在封装内对应每个Blackwell芯片上四个8-Hi堆栈。如果我们认真观察，就会发现它实际上分八个计算复合体被封装在两块芯片中，每个芯片对应一组HBM3E内存。而根据此前媒体的报道，这192GB内存将由SK海力士与美光...……更多
2024-03-20 02:59:00英伟,制造商,模型,引擎,制造,英伟
...达到了9.8Gbps，提供了高达1280GB/s的带宽，比起之前的8层堆栈产品均提高了50%，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。据三星介绍，随着硬件的多功能性变得更加重要，HBM4在设计上也会针对不用的服务应用进行优化，计划通过统...……更多
2024-04-22 17:57:00三星,三星,产品,堆栈,芯片,力士
...2%。基于12nm级LPDDR DRAM技术，三星的LPDDR5X内存封装采用了4堆栈、每堆栈2层的结构设计，提供12GB和16GB两种容量版本。在制造过程中，三星优化了PCB和环氧树脂模塑料（EMC）技术，并结合晶圆背面研磨工艺，实现了这一超薄封装的...……更多
2024-08-06 16:09:00三星,内存,更多,全球,空间,三星
...电3nm EUV工艺，升级四重曝光，继续使用CoWoS-L封装，搭配8堆栈的HBM4，不但再次实现性能飞跃，还会重点降低功耗。而到了2027年，还会有升级版Rubin Ultra，搭配12堆栈的HBM4，容量更大。不过在Rubin之前，还会有一代升级版的Blackwell...……更多
2024-11-06 09:51:00力士,内存,泰源,堆栈,力士,升级
...却；在先进内存方向上，英特尔目前可通过EMIB连接8个HBM堆栈，未来该能力将提升至12个堆栈乃至更多，同时英特尔也在探索更新的内存解决方案。对于Foveros3DDirect高级封装，英特尔目标到2027年左右实现4微米的连接间隙。英特尔...……更多
2024-04-04 03:48:00英特,业务网,英特尔,路线图,代工,研讨会
...能都将得到优化。TrendForce集邦咨询在报告中指出，HBM4在堆栈的层数上，除了现有的12hi（12层）外，还将再往16hi（16层）发展，更高层数预计将带动新堆栈方式的需求增长。机构预测，HBM412hi产品将在2026年推出，16hi产品则有望在...……更多
2023-11-28 14:32:00英伟,供应商,供应,市场,空间,英伟
...，将光电二极管和像素晶体管分离到不同的基片层上进行堆栈。这种结构使得饱和信号量大幅提升，扩大了动态范围并降低了噪点。采用这一结构，即使在较小的像素尺寸下，也能显著提升成像特性。具体而言，索尼主要做出了...……更多
2024-04-10 17:03:00豪威,索尼,之路,三星,影像,趋势
...3D堆叠，包括24个Zen4CPU内核，同时融合了CDNA3和8个HBM3显存堆栈，集成了5nm和6nmIP，总共包含128GBHBM3显存和1460亿晶体管，将于2023年下半年上市。目前来看，AMDInstinct MI300的晶体管数量已经超过了英特尔1000亿晶体管的PonteVecc……更多
2023-01-09 21:23:00加速卡,芯片,加速卡,芯片,晶体管,晶体
...YMTCXtacking类似的CBA（互补键合）技术，需要分别制造存储堆栈和CMOS控制电路，然后将两部分混合键合。这种方法可以增强闪存的读写性能，同时提高整体存储密度并降低功耗。 ……更多
2024-06-16 01:53:00西部数据,芯片,业界,西部,数据,芯片
...文学家VeraRubin(薇拉·鲁宾)，搭配下一代HBM4高带宽内存，8堆栈。根据曝料，Rubin架构首款产品为R100，采用台积电3nmEUV制造工艺，四重曝光技术，CoWoS-L封装，预计2025年第四季度投产。2027年则是升级版的“RubinUltra”，HBM4内存升级...……更多
2024-06-03 10:04:00下一代,架构,全新,规划,架构,二合
...E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计，采用2048位接口，而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变化。目前单个HBM3E堆栈的数据传输速率为9.6GT/s，理论峰值带宽为1.2...……更多
2024-02-05 09:49:00力士,堆栈,带宽,峰值,力士,存储器
...核心被8个HBM3内存包围，单个HBM3的带宽为6.3GB/s，八个16GB堆栈形成128GB统一内存，带宽高达5.3 TB/s。在算力方面，MI300A提供了高达61TFLOPSFP64算力，多达122TFLOPSFP32算力。AMD表示，MI300AGPU将HPC提升到一个新的水平，其性能……更多
2023-12-07 22:24:00英伟,芯片,性能,性能,芯片,内存
...此前有消息指出，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。目前三星已经量产了HBM2E和HBM3，并开发了速率为9.8Gbps的HBM3E，将很快向客户提供样品，以丰富高性能计算（HPC）和人工智能（AI）生态系统。三星还...……更多
2023-10-14 02:48:00三星,正在,开发,三星,封装,芯片
...透露，B100 GPU 的两个计算芯片将连接到 8 个 8-Hi HBM3e 显存堆栈，总容量为 192GB。值得注意的是，AMD 已经提供了 192GB 的相同容量，并在其 Instinct MI300 GPU 上搭载了 8 个 HBM3 芯片。展望未来，爆料人称代号为 B200 的下一代 ……更多
2024-03-18 09:44:00英伟,显存,消息,芯片,英伟,容量
...将它们连接起来。原来通过TSV方式过孔，将功率输送到3D堆栈底部会导致效率损失，当过孔达到一定的数量或密度时，会产生一些串扰，影响信号完整性，也会出现压降的问题。经试验，英特尔认为，通过TDV绝缘无机填充物过孔...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...效率；改进的系统级解决方案，其可管理性被定义为芯片堆栈的一部分；针对互操作性和合规性测试优化的封装设计；完全向后兼容 UCle 1.1 和 UCle 1.0。近日，AMD、博通、思科等八家公司宣布为人工智能数据中心的网络制定新的...……更多
2024-09-30 09:56:00华强,清华大学,清华,赛道,集成电路,院长
...DRAM 单元，整体容量达 128Gb，12 层堆叠后可实现 192GB 的单堆栈容量，允许存储更大的 AI 模型。而目前的 HBM3 (E) 内存最大单堆栈容量仅有 36GB。而在后一项技术上，NEO Semiconductor 称其每个 3D X-AI 芯片均配备一层神经回路单元，包...……更多
2024-08-07 09:28:00内存,能力,方案,技术,数据,芯片
...创新，研发出具有创新性的技术，如背照式（BSI）结构、堆栈式（Stacked）结构等，进一步提升了CIS芯片的性能和竞争力。而在2017年时，索尼就在德国举办的一次会议之中亮相了一款1亿像素的背光传感器，不仅能够捕捉到更多的...……更多
2024-10-10 13:37:00索尼,三星,芯片,国产,全球,芯片
...光表示，相比于年初量产的8层垂直堆叠的HBM3E，在给定的堆栈高度下，新产品无论堆叠层数还是容量都增加了50%，满足了更大的AI模型运行的需求，避免了多处理器运行带来的延迟问题。美光提供的HBM3E产品拥有16个独立的高频数...……更多
2024-09-15 12:49:00封装,人工智能,功耗,系统,产品,人工
...用了MCM设计，在单个封装上堆叠图形处理内核（GPC）、HBM堆栈和I/O芯片等多个芯粒。AMD公司还率先在其Navi31等最新的RDNA3架构上采用了MCM解决方案。AMD的这项专利描述了3种不同的“模式”，其区别在于如何分配资源并进行管理，...……更多
2024-06-15 18:28:00专利,方案,设计,模式,芯片,独立
...美光正在绕过HBM3，直接追求HBM3e。HBM3e将采用24Gb单晶芯片堆栈，并采用8层(8Hi)配置，单个HBM3e芯片的容量将飙升至24GB。HBM3e预计将在2025年纳入NVIDIA的GB100，导致三大OEM计划在2024年第一季度发布HBM3e样品，并在下半年进入量产。除...……更多
2023-10-13 02:47:00需求,增长,咨询,三星,芯片,需求
...下一代DRAM中使用应用模压填充（MUF）技术。三星最近对3D堆栈（3DS）内存进行了大规模的MRMUF工艺测试，结果显示与现有的TCNCF（热压非导电膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性却有所下降。传闻三星芯片部分的一位高级主...……更多
2024-03-04 16:49:00三星,服务器,应用,研究,服务,三星
...伴（美光、三星、SKhynix）合作，在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能要求的情况下具备成本优势，而N5基础Dies又可以在更低功耗下达到HBM4预期速度。采用台积电12FFC+工艺（源自该公司成熟的16纳米FinFET技...……更多
2024-05-17 12:07:00欧洲,研讨会,研讨,技术,基础,纳米
...（14,592个内核）最高128GBHBM3内存最多8个Chiplets+8个存储器堆栈（5nm+6nm工艺）性能AMD再次将MI300A与H100进行了比较，得益于统一的内存布局、GPU性能以及整体内存容量和带宽，在OpenFOAM测试中，性能是H100的4倍。
AMD还证实，Instin……更多
2023-12-08 02:04:00内核,内存,性能,架构,缓存,次级
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