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5月17日消息,台积电近日出席本周举办的2024欧洲技术研讨会,展示使用12FFC+(12纳米级)和N5(5纳米级)工艺技术制造的HBM4基础Dies,从而提高HBM4的性能和能效。
IT之家翻译台积电设计与技术平台高级总监内容如下:
我们正与主要的HBM存储器合作伙伴(美光、三星、SKhynix)合作,在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能要求的情况下具备成本优势,而N5基础Dies又可以在更低功耗下达到HBM4预期速度。
采用台积电12FFC+工艺(源自该公司成熟的16纳米FinFET技术)制造的基础芯片将能够构建12-Hi和16-HiHBM4存储器堆栈,容量分别为48GB和64GB。
使用12FFC+工艺将实现"高性价比"的基础芯片,这些芯片将使用硅内插件将内存连接到主机处理器。
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快照生成时间:2024-05-17 15:45:32
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