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SK海力士宣布2026年量产HBM4
HBM产品被认为是人工智能（AI）计算的支柱之一，近两年行业发展迅速。在人工智能和高性能计算的影响下，HBM市场带给了存储器厂商新的希望，以推动收入的巨大增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位。
据BusinessKorea报道，SK海力士副总裁Chun-hwanKim在SEMICONKorea2024的主题演讲中表示，生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长，而SK海力士有望在2026年大规模生产下一代HBM4。
HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计，采用2048位接口，而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变化。
目前单个HBM3E堆栈的数据传输速率为9.6GT/s，理论峰值带宽为1.2TB/s，而由六个堆栈组成的内存子系统的带宽则高达7.2TB/s。出于于可靠性和功耗方面的考虑，一般速度不会达到最高的理论带宽，像H200的峰值带宽为4.8TB/s。按照美光之前的说法，单个HBM3E堆栈的峰值带宽将提高到1.5TB/s。由于2048位接口需要在集成电路上进行非常复杂的布线，预计成本也会高于HBM3和HBM3E。
HBM4在堆栈的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠，预计2027年存储器厂商还会带来16层垂直堆叠。此外，HBM还会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。
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快照生成时间：2024-02-05 15:45:12
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