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美光凭借工艺优势抢夺HBM3E市场
在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的影响下，近两年HBM产品发展逐渐加速，也推动着存储器厂商的收入增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位，大量供应HBM3用于英伟达的各款人工智能芯片。
据KoreaJoongAngDaily报道，美光之所以率先获得英伟达用于H200的HBM3E订单，在近期竞争中占据主动，凭借的是工艺上的优势。目前SK海力士占据了54%的HBM市场，而美光仅为10%，但随着手握英伟达的供应协议，形势可能很快会发生变化。
与SK海力士在HBM3遥遥领先不同，到了HBM3E情况似乎出现了变化，美光和三星的加入让市场竞争变得越来越激烈。去年美光、SK海力士和三星先后都发送了HBM3E样品给英伟达，用于下一代AIGPU的资格测试。这也是英伟达为了保证下一代产品供应，规划加入更多的供应商的举措。
美光在去年7月，推出了业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层堆叠的24GB容量HBM3E，采用了1β（1-beta）工艺制造。随后美光透露，其HBM3E样品的性能更强且功耗更低，实际效能超出了预期，也优于竞争对手，让客户大吃一惊。美光还准备了12层堆叠的36GB容量HBM3E，在给定的堆栈高度下，容量增加了50%。作为HBM市场的领头羊，SK海力士也不会坐以待毙，近期已向英伟达发送了新款12层堆叠HBM3E样品，以进行产品验证测试。近期三星也官宣了同类产品，容量为36GB的12层堆叠HBM3E。下一代HBM4有望在2026年到来，相信HBM市场竞争会变得更加激烈。举报/反馈
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快照生成时间：2024-03-12 18:45:31
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