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三星电子试生产第二代3nm级工艺sf3
1月21日消息,Chosun援引业内人士消息称,三星电子代工厂已开始针对其第二代3nm级工艺SF3进行试生产。据报道,该公司计划在未来六个月内将良率提高至60%以上。消息人士称,三星正在测试SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性...……更多
三星3nm良率翻至3倍!仍落后于台积电
2024-03-25 16:28:31 作者:姚立伟三星电子的3纳米Gate-All-Around(GAA)工艺的良率已经实现了显著的提升,从先前的10%至20%上升至30%至60%之间。然而,这仍然落后于竞争对手台积电。台积电计划在今年内将3纳米晶圆的产量扩大到每月...……更多
三星和英特尔在2nm工艺上激烈竞争!追赶台积电
...球晶圆代工龙头企业中国台湾台积电(行业第一)、韩国三星电子(第二)和重新进入晶圆代工市场的美国英特尔,都在加速开发先进的2nm工艺。目前,最先进的量产技术是三星电子和台积电生产的3nm工艺。三星于去年6月开始...……更多
高通2nmap订单年底前完成,配套的 HBM 内存
据ETNews报道,高通已委托三星电子开发2nm原型芯片。如果三星制造的原型芯片达到该公司要求的性能和良率目标,可能会达成最终订单。原型开发是了解半导体性能和良率的过程。在半导体行业,它通常被称为“多项目晶圆”...……更多
台积电1.4nm正式现身!A14工艺已研发完成
...间目前还不清楚。然而,可以确定的是该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。此外,也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机,但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带...……更多
​三星多款Galaxy A系列新机即将发布,芯片工艺新进展
...片技术方案的更多信息。来自IT之家的一份报道中提到:三星电子已经决定将“第二代 3 纳米”工艺更名为“2 纳米”,而该工艺计划将于今年年底前量产。去年年底就有更名的相关消息,而现在基本已经得到确认。另外,三星...……更多
消息称三星电子有意引入 SK 海力士的 MUF 封装工艺
IT之家 3 月 13 日消息,路透社表示,三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。三位直接知情人士称,三星已经发出了处理 MR-MUF 技术...……更多
三星电子完成16层堆叠hbm3内存验证
4月7日消息,综合韩媒TheElec和ETNews报道,三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示,三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆...……更多
全球电视市场数据公布 三星电子高端领域排名第一
...至2023年第三季度的全球电视市场表现数据。数据显示,三星电子以销售额29.9%的市场份额位居全球电视市场第一,LG电子连续11年位居全球OLED电视市场第一。三星电子21日公布的数据显示,去年第三季度市场份额为29.9%,较去年同...……更多
4月1日消息,三星电子DS部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨AI半导体策略,同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。在AI用存储芯片部分,三星组建了由DRAM产品与技术负责人HwangSang-joon领导HB...……更多
三星电子和台积电可能都遇到了3纳米半导体的生产问题,不过这一问题目前尚未有报告。据韩国媒体ChosunBiz援引消息人士的话报道,这两家半导体巨头在3纳米半导体良品率问题上可能都难以超过60%,而这一水平还不足以吸引硬...……更多
三星电子在背面供电网络测试中取得了令人满意的结果
三星电子在背面供电网络(BSPDN)芯片测试中取得了令人满意的结果,这使得其有望提前引入未来制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式,先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而,随着工艺的进步,这种供...……更多
韩媒曝三星电子将成立新处理器团队
...Exynos处理器同样受牵连表现不佳,现在有韩国媒体报道,三星电子可能将抛弃以往与三星半导体合作的模式,打造自有的处理器开发团队……更多
三星开发首款5纳米emram车用存储
...于AEC-Q100Grade1的FinFET工艺的14nm工艺。IT之家从报道中获悉三星电子公布了路线图,计划在2024年量产14nm工艺eMRAM,并计划在2026年量产8nm、2027年量产5nm。与14纳米工艺相比,三星8纳米eMRAM具有将密度提高30%、速度提高33%的潜力。三...……更多
三星高管力挺 Exynos 2400 芯片
...Exynos芯片,虽然没有提及明确名称,但预估为Exynos2500。三星电子目前已经成功开发了3nm的GAA工艺,在性能和能效方面要优于台积电的3nm工艺。ParkYong-in还表示,NPU将取代GPU,负责处理各种AI任务。IT之家翻译他的演讲内容如下:...……更多
三星电子正在积极推进其2纳米工艺的研发,希望在先进制造领域挑战行业巨头台积电。据内部消息,三星的半导体代工部门正在快速推进其2纳米生产计划,并整合资源加速技术研发。业内人士甚至猜测三星可能会跳过3纳米工...……更多
阿斯麦与三星电子将共同投资7亿欧元在韩国建芯片研究中心 【阿斯麦与三星电子将共同投资7亿欧元在韩国建芯片研究中心】财联社12月12日电,阿斯麦与三星电子12月12日签署备忘录,将共同投资1万亿韩元(约合7.04亿欧元)在...……更多
三星电子开设一个新的R&D研究实验室
1月28日消息,三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室,专注于下一代3DDRAM芯片的开发。该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica(DSA)运营之下,负责监督三星在美国的半导体生产,并致力于开发新一代的DRAM...……更多
助推“零碳零塑办博”,来自三星的“绿色影响”
...的循环利用是推动环境可持续发展的重要手段。据了解,三星电子此前发布了增加回收材料应用的计划:到2030年,三星电子产品中50%的塑料部件使用再生树脂,到2050年,三星电子产品中所有塑料部件都使用再生树脂。 技术的...……更多
三星宣布将引入大量外国专业人才加强研发 含多个部门
...研(R&D)领域聘用大量外国人才。据业内人士透露,三星电子、三星显示器、三星电机、三星生物制剂和三星重工等都在招聘研发领域经验丰富的外国专业人士。此外,三星工程公司和三星物产建设部门也在聘请技术领域的...……更多
三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
3月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级...……更多
消息称三星 Exynos 2400 将采用FOWLP封装工艺
...关键技术,也是三星追赶台积电的重要法宝之一。消息称三星电子目前正在积极推进FOWLP工艺,即将应用于芯片的大规模量产中。目前半导体芯片封装主流需要芯片连接到PCB(印刷电路板)上来堆叠它们,而FOWLP不需要PCB,因为...……更多
三星电子和Naver宣布AI半导体合作计划
【ITBEAR科技资讯】12月26日消息,三星电子和韩国互联网巨头Naver宣布了一项令人瞩目的合作计划,该计划旨在投资AI半导体解决方案领域。据韩国媒体BusinessKorea报道,这两家公司已经在AI半导体领域取得了显著的突破,成功研制...……更多
三星电子开发出透光率达88%的euv薄膜
...ech等后来居上者也是主要供应商之一。韩媒ETNews报道称,三星电子已经自主开发出了透光率高达88%的EUV薄膜,有助于实现供应链多元化和稳定。据证实,这款透光率88%的EUV薄膜产品已经可以大规模生产。获悉,三星电子在去年的...……更多
消息称三星电子开始自研智能传感器 将用于无人驾驶
【CNMO新闻】12月26日,据报道,三星电子已启动一项重要的内部研发项目:智能传感器系统。此举预示着这家半导体制造商正致力于将这一技术应用于未来的无人驾驶和人工智能半导体制造过程中。长期以来,该公司依赖于国外...……更多
三星西安工厂获美国无限期豁免,已开始大规模扩张
10月16日消息,上周一,三星电子和SK海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。对于三星来说这无疑是一个好消息,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据BusinessKor...……更多
英伟达将购买12层HBM3E内存,由三星电子独家供货
...达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存,这些内存将由三星电子独家供货。在GTC2024上,黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了\"黄仁勋认证(JENSENAPPROVED)\"的签名。而SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品...……更多
心系天下三星w24上市3个月价格大跳水
今年9月15日,中国电信携三星电子举办心系天下三星W系列新品发布会,正式推出三星W24和W24Flip两款旗舰折叠屏手机。随后在9月22日,新品全国开售,其中三星W24零售价达到15999元,说它是“万元机”毫不过分。据手机中国了解...……更多
...,以全新的面貌出现在大众面前。【知多D】据韩联社,三星电子预计将在第三季度降低芯片赤字,这主要归功于芯片产量的持续削减。KBSecurities分析师KimDong-won预测,三星电子Q3持续减产,DS部门亏损将达4万亿韩元。 ……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
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