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三星3nm良率翻至3倍！仍落后于台积电
类别：科技 发布时间：2024-03-26 17:00:00 来源：中关村在线
2024-03-25 16:28:31 作者：姚立伟
三星电子的3纳米Gate-All-Around（GAA）工艺的良率已经实现了显著的提升，从先前的10%至20%上升至30%至60%之间。然而，这仍然落后于竞争对手台积电。台积电计划在今年内将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片，这意味着三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。
尽管如此，三星电子在第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力，并在功耗、性能和逻辑区域方面进行了改进。但这些改进并没有为三星吸引更多的客户。有报告指出，要重新赢得像高通等先前的客户认可，三星需要将良率提高到70%。而这些企业在可预见的未来将继续选择台积电。
本月初，韩国媒体报道称，三星电子已经通知客户和合作伙伴，自今年年初起，将第二代3纳米工艺改名为2纳米工艺。一位业内人士表示：“我们收到了三星电子的通知，他们正在将第二代3纳米工艺更名为2纳米工艺。去年签订的第二代3纳米合同也同步转为了2纳米，因此我们近期需要重新签订合同。” 返回搜狐，查看更多
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快照生成时间：2024-03-26 17:45:08
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