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三星开发首款5纳米emram车用存储
类别：科技 发布时间：2023-10-20 14:38:00 来源：浅语科技
10月20日消息，三星主办的2023年欧洲三星代工论坛（SFF）上，展示了从先进2nm工艺到传统8英寸工艺在内的诸多代工解决方案，并展示了正在开发中的首款5纳米eMRAM车用存储。
eMRAM是用于汽车应用的下一代存储半导体，可实现高读写速度以及卓越的耐热性。
三星于2019年开发并量产业界首款基于28nmFD-SOI的eMRAM以来，一直在开发基于AEC-Q100Grade1的FinFET工艺的14nm工艺。
IT之家从报道中获悉三星电子公布了路线图，计划在2024年量产14nm工艺eMRAM，并计划在2026年量产8nm、2027年量产5nm。与14纳米工艺相比，三星8纳米eMRAM具有将密度提高30%、速度提高33%的潜力。
三星表示通过采用深沟槽隔离(DTI)技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。
三星代工厂将使用120V（当前为70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在2025年之前提供实现120V至130nmBCD工艺的工艺开发套件(PDK)。
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快照生成时间：2023-10-20 18:45:01
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