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三星电子试生产第二代3nm级工艺sf3
1月21日消息，Chosun援引业内人士消息称，三星电子代工厂已开始针对其第二代3nm级工艺SF3进行试生产。据报道，该公司计划在未来六个月内将良率提高至60%以上。
消息人士称，三星正在测试SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性；首个采用三星SF3工艺的芯片预计将会是专为可穿戴设备设计的应用处理器，计划用于今年晚些时候发布的GalaxyWatch7等产品。
同时，Chosun预计该公司还将为明年的GalaxyS25系列智能手机所搭载的Exynos2500芯片使用这一节点。
三星此前表示，计划在2024年下半年开始大规模量产SF3芯片；2023-2024年将以3nm生产为主，即SF3(3GAP)及其改进版本SF3P(3GAP+)，而且该公司还计划于2025-2026年开始推出其2nm节点。
据三星介绍，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。
IT之家通过TrendForce数据获悉，台积电去年第三季度占据了全球晶圆代工市场57.9%的份额。三星电子以12.4%的份额位居第二，两家公司之间的差距超过40个百分点。
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快照生成时间：2024-01-22 15:45:02
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