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三星在积极研发更先进的芯片制程
4月30日消息，近年来，三星的代工业务遭遇了巨大挑战，鲜有知名芯片厂商（除三星自家用于Exynos处理器的SystemLSI部门之外）采用其3nm及更新的4nm制程工艺。然而，三星仍在积极研发更先进的芯片制程，其中就包括2nm制程。
据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。
此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2nm芯片的第三代GAA技术论文，VLSI研讨会与国际电子器件会议(IEDM)和国际固态电路会议(ISSCC)并称为全球三大顶尖半导体技术研讨会。
据IT之家了解，GAA是一种新型的晶体管设计，可改善电流流动并提高能效。三星Foundry在其第一代3nm制程工艺中首次引入了GAA技术。然而，除三星自家Exynos处理器之外，尚未有其他芯片厂商采用该技术，例如AMD、苹果、联发科、英伟达和高通。预计三星SystemLSI部门将成为首家使用三星Foundry3nm制程（用于下一代手机和智能手表芯片）的厂商。
相比于采用5nm制程的芯片，第一代3nmGAA芯片的晶体管面积减少了16%，性能提升了23%，能效提高了45%。第二代3nm制程预计将使晶体管面积减少35%，性能提升30%，能效提升50%。用于2nm芯片的第三代GAA技术则有望实现晶体管面积减少50%和性能提升50%。
三星的主要竞争对手台积电目前尚未在其先进制程工艺中采用GAA技术。三星计划在今年下半年量产采用第二代3nmGAA技术的芯片（例如用于GalaxyS25的处理器），预计英特尔和台积电将在其下一代2nm制程中采用GAA技术。
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快照生成时间：2024-05-01 15:45:15
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