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三星电子在背面供电网络测试中取得了令人满意的结果
三星电子在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中取得了令人满意的结果，这使得其有望提前引入未来制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而，随着工艺的进步，这种供电模式的线路层变得越来越混乱，并对设计和制造产生了干扰。
为了解决这个问题，BSPDN技术将芯片的供电网络转移到晶圆背面。这一创新简化了供电路径，消除了互连瓶颈，并减少对信号的干扰。最终结果是整体电压和功耗降低，特别适合移动端SoC的小型化。
报道还指出，三星电子在测试晶圆上对两种不同的ARM内核进行了测试，在面积上分别减小了10%和19%，同时频率效率提升不超过10%。然而，由于目前超额完成开发目标，三星计划修改路线图，在明年推出的2nm工艺中首次应用背部供电技术。
此外，三星电子的主要竞争对手台积电和英特尔也在积极布局背部供电领域。根据科技博客MoreThanMoore的消息，台积电预计将在2025年推出标准N2节点后6个月左右发布对应的背部供电版本。
综上所述，三星电子在背面供电技术方面取得显著进展，并有望通过引入这种技术来实现其移动设备SoC的微型化。随着市场竞争的加剧，其他半导体企业也在竞相研发类似的技术以保持竞争力。
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快照生成时间：2024-02-29 09:45:08
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