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三星正在开发hbm4,已经量产了HBM2E和HBM3
...长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%被美光所占有。近日,三星执行副总裁...……更多
三星 9.8Gbps 速率 HBM3E 内存已出样
10月12日消息,据三星官方博客消息,面向高性能计算(HPC)的HBM内存迎来新进展,将开发9.8Gbps的HBM3E产品,已开始向客户提供样品。此外,HBM4内存以2025年为目标正在开发中,为了适用于该产品,正在准备针对高温热特性优化...……更多
为防止Exynos芯片过热 三星将使用PC端封装技术
...性能的不断提升,处理器的发热问题也越来越受到关注。三星近期在其Exynos处理器的散热技术上取得了新的突破。三星Exynos2400据《TheElec》报道,三星正在研发一种名为扇出型晶圆级封装-HPB(FOWLP-HPB)的新型芯片封装技术。这种...……更多
三星计划增加人工智能半导体、汽车等领域的客户
近日在投资者谈论上,三星称其代工部门计划通过增加人工智能半导体和汽车等领域的客户,摆脱过往过于依赖移动领域的做法,以实现销售结构的多样化。据了解,三星代工今年移动、高性能计算和汽车的销售占比分别为54%...……更多
三星将推出先进的 3D AI 芯片封装技术 SAINT 与台积电竞争
站长之家(ChinaZ.com) 消息:三星电子计划于明年推出一项先进的三维(3D)芯片封装技术,以与代工龙头台积电(TSMC)展开竞争。总部位于韩国水原市的这家芯片制造商将使用该技术——SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三...……更多
SEMI日本总裁称先进封装应统一:台积电、三星、Intel三巨头谁会答应
...技术标准,尤其是先进封装领域。他认为,当前台积电、三星和Intel等芯片巨头各自为战,使用不同的封装标准,这不仅影响了生产效率,也可能对行业利润水平造成影响。目前仅台积电、三星和Intel三家公司在先进制程芯片制...……更多
三星将带来3D HBM封装服务,计划2024年内推出
去年有报道称,三星正在准备自己的3D芯片封装技术,能够以更小的尺寸集成高性能芯片所需要的逻辑芯片和存储芯片。目前HBM产品主要采用2.5D封装技术,不过三星打算在2025年亮相的HBM4上引入3D封装技术。据Trendforce报道,三星...……更多
三星加快玻璃基板开发,全力争取2026年量产
此前有报道称,三星成立了新的跨部门联盟,横跨电子、电气工程和显示部门,合作加速“玻璃基板”技术的商业化研发工作,希望能在2026年实现量产。三星是以“比英特尔更快的速度实现商业化”为目标,过去主要由子公司...……更多
传三星已启动代号“Thetis”的2nm芯片开发计划
今年三星将带来第二代3nm工艺技术,也就是SF3(3GAP),与4nmFinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。传闻Exynos2500将是三星首款采用SF3工艺制造的智能手机SoC,而且很可能与Exynos2400一样,选择应用扇出型晶圆级封装(FoWLP...……更多
消息称三星电子有意引入 SK 海力士的 MUF 封装工艺
IT之家 3 月 13 日消息,路透社表示,三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。三位直接知情人士称,三星已经发出了处理 MR-MUF 技术...……更多
消息称三星 Exynos 2400 将采用FOWLP封装工艺
11月15日消息,根据韩媒EDaily报道,三星公司已经完成了扇出晶圆级封装(FOWLP)工艺的验证,并已经开始向客户交付产品,而首款采用该封装工艺的芯片,会是明年搭载在GalaxyS24/S24+手机中的Exynos2400芯片。IT之家今年4月就曾报...……更多
内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出
...DRAM与HBM在设计和制造层面都是不一样的。据The Elec报道,三星和SK海力士都已将混合键合确定为未来制造3D DRAM的关键封装技术。据悉,三星计划在2025年推出3D DRAM芯片,SK海力士还没有确定具体时间。目前,三星和SK海力士使用微...……更多
集邦咨询:2023年hbm需求同比增长58%
...2、HBM2E、HBM3和HBM3e。目前在HBM3研发最前沿的是SK海力士和三星两家公司,英伟达的H100/H800、AMD的MI300系列AI加速卡均采用HBM3。SK海力士和三星预计将在2024年第一季度提供HBM3e样品。另一方面,美国内存公司美光正在绕过HBM3,直接...……更多
三星发布先进芯片工艺路线图:新版2纳米制程2027年量产,研发生产时间缩短20%
6月13日,三星电子在“2024年三星代工论坛”上,发布未来多项芯片技术的进展,并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务,整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务,以更快地生产人工智能芯片,以利用人工...……更多
集邦咨询:玻璃基板技术成新宠
...形减少50%。玻璃基板技术成为新宠报道指出英特尔、AMD、三星、LGInnotek和SKC的美国子公司Absolics都在高度关注用于先进封装的玻璃基板技术。英特尔英特尔公司于2023年9月,发布了“下一代先进封装玻璃基板技术”,声称它可以...……更多
三星HBM4计划2025年首次亮相
...长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%属于美光。今天三星发表了一篇采访文...……更多
三星电子计划提升半导体部门奖金 加速AI芯片发展
【CNMO科技消息】7月4日,CNMO了解到,据媒体报道,三星电子的内部公告显示,三星电子将在2024年上半年向其半导体部门员工支付最高相当于基本工资75%的奖金。曾经由于盈利疲软,奖金在2022年下半年被削减了一半。代工事业...……更多
三星HBM芯片良品率偏低,导致AI订单争夺中处于下风
...的HBM3订单,占据了HBM市场54%的份额。原本排在SK海力士和三星后面的美光,凭借更好的工艺,率先获得了英伟达用于新款H200的HBM3E订单,看到了赶超的希望。去年美光、SK海力士和三星先后发送了HBM3E样品给英伟达,用于下一代AI...……更多
曝三星3nm良率仅20%!但仍不放弃Exynos 2500
2024-06-23 17:26:27作者:姚立伟据最新消息,三星首款采用SF3工艺的智能手机SoC Exynos 2500的良品率目前仅为20%,远低于量产标准。尽管如此,三星仍在积极寻求解决方案,力争在今年10月前将良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款使...……更多
为了强化AI,iPhone拉着三星让内存「独立」
最近,韩媒TheElec披露了一个相当引人瞩目的消息:三星正在应苹果的要求,试图将内存独立封装于芯片。具体来说,苹果计划从2026年起,在iPhone中放弃当前主流的PoP(PackageonPackage)封装方式——将SoC与LPDDR内存重叠封装在一起...……更多
三星宣布推出SF2Z芯片制造技术,这是AI产品的新解决方案
韩国科技巨头三星(Samsung)昨天在加利福尼亚州举行的三星晶圆代工论坛(SamsungFoundryForum)上宣布了一系列新的芯片制造技术和其他针对不断增长的技术的举措。与台积电和英特尔一起,三星是世界上第三家能够使用最新制造...……更多
曝苹果要求三星改进LPDDR内存封装:提升iPhone的AI性能
快科技12月6日消息,据媒体报道,三星开始研究改进iPhone使用的LPDDR内存封装方法,消息称三星此举是苹果方面提出的要求,苹果公司希望将LPDDR内存单独打包,计划从2026年开始进行调整。据了解,苹果在2010年的iPhone 4上首次引...……更多
三星已向新川公司订购16台2.5d封装粘合设备
12月5日消息,据TheElec,三星已向日本新川公司(Shinkawa)订购了16台2.5D封装粘合设备。消息人士称,三星已经收到了7台设备,并有可能在需要时索要剩余的设备。▲图源:三星他指出,这很可能是为了给Nvidia下一代的AI芯片提...……更多
sk海力士将与台积电建立ai半导体战略
...已制定了OneTeam战略,将与台积电建立AI半导体同盟,对抗三星电子在AI半导体领域交钥匙方案的威胁。据了解,SK海力士这一战略的内容主要包括与台积电一同开发下一代HBM内存—— HBM4。根据IT之家早前报道,SK海力士计划于2026...……更多
三星扩大其封装技术的MDI联盟:一年内增加10家合作伙伴
三星在2023年6月启动了2.5D和3D封装技术的MDI联盟,旨在应对移动和高性能计算(HPC)应用的小芯片市场的快速增长,与合作伙伴以及内存、基板封装和测试领域的主要参与者合作,形成2.5D和3D异构集成的封装技术生态系统,提供...……更多
三星全年利润暴跌85%
...少存储芯片公司饱受“卖不出去”之苦。比如,芯片龙头三星去年的利润因此暴跌逾八成。而除了旧芯片卖不出以外,存储芯片市场也在发生天翻地覆的改变。因为AI时代的来临,为了配合算力要求极高的AI服务器,旧的储存芯...……更多
砸492亿买处理器,半导体巨头的“依赖症”
高度依赖的情况下,三星发力自研。三星向高通、联发科等全球应用处理器制造商购买了近9万亿韩元(约合人民币492.3亿元)的芯片。分析认为,由于性能问题,三星在核心产品中排除了自主开发的处理器“Exynos”,从而增加...……更多
三星将推出400+层第10代V-NAND
12月4日消息,据Tom's hardware报道,三星将在即将举行的国际固态电路会议(ISSCC)上展示新的超过400层3D NAND Flash,接口速度为5.6 GT/s。报道称,三星的第10代V-NAND保持了TLC(三级单元,或每个单元 3 位)架构,每个芯片的容量为1T...……更多
被人笑话的三星3nm,搞出全球首颗GAA芯片
豪赌GAA,风险很大。就在几天前,三星电子创造了半导体史上一个“不光彩”的记录——有韩媒爆料称,三星自家的Exynos 2500 芯片目前良率略低于 20%,而在试生产该处理器时,最后统计出的良率竟然为0%。紧接着,知名分析师...……更多
三星研究将MUF应用到服务器DRAM
据TheElec报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充(MUF)技术。三星最近对3D堆栈(3DS)内存进行了大规模的MRMUF工艺测试,结果显示与现有的TCNCF(热压非导电膜)相比,吞吐量有所提高,但物理特性却有所下降。...……更多
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