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...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管，并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外，台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是，台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
2023-12-28 18:02:00晶体管,晶体,封装,晶体管,晶体,工艺
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...现上可能远超想象。爆料者称，天玑9400内部集成了300亿晶体管，晶体管数量确实可以代表芯片的性能和工艺水平，毕竟在更先进的工艺下，才能放置更多的晶体管。比如在iPhone11中所使用的A13处理器，采用的是7nm工艺，内部集成...……更多
2024-04-09 16:32:00发哥,天玑,晶体管,晶体,性能,天玑
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...创始人之一的戈登·摩尔是摩尔定律的提出者，指出芯片晶体管密度18-24个月翻倍，50多年来Intel也是最坚定的摩尔定律捍卫者，尽管这几年中质疑定律失效的声音也越来越多。摩尔定律需要半导体工艺2年左右就要升级一代，才能...……更多
2023-03-01 20:51:00能效,处理器,目标,处理,摩尔,晶体管
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成，每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络，使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时，它将被传输...……更多
2024-01-30 11:13:00芯片,背后,秘密,芯片,晶圆,晶体管
...MI300采用多芯片、多IP整合封装设计，5nm先进制造工艺，晶体管数量多达疯狂的1460亿个！它同时集成CDNA3架构的GPU单元(具体核心数量未公开)、Zen4架构的24个CPU核心、大容量的InfinityCache无限缓存，还有8192-bit位宽、128GB容量的HBM3高...……更多
2023-05-16 13:56:00晶体管,怪兽,晶体,显卡,性能,架构
...推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使...……更多
2023-12-11 09:31:00英特,摩尔,英特尔,定律,瓶颈,供电
...管Milind Shah的最新研究显示，2012年的28nm工艺节点之后，晶体管的平均成本已经不再下降，自然导致芯片的成本和价格居高不下。他指出，28nm及之前，晶体管平均成本在每一代新工艺上都会降低30％，但28nm之后，每一代都基本不...……更多
2024-02-05 11:00:00摩尔,越来,定律,芯片,越来越,秘密
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...5年赶超台积电（TSMC）的关键。其中RibbonFET是对GateAllAround晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。Power...……更多
2023-03-15 20:58:00英特,英特尔,制程,工艺,测试,英特
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...芯片和系统设计，而且这些问题在不断扩大和增多。随着晶体管密度的提高，这些微小的数字开关产生的热量无法通过传统方式消除。尽管这个问题看似可以控制，但这产生了一连串需要整个行业共同解决的新问题，包括EDA公司...……更多
2024-03-27 04:00:00功耗,芯片,不断,问题,功耗,问题
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番，这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而，随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限，摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦，因为他们需要制造更小、更强大...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...的六方碳化硅（4H-SiC），有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期，陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
2024-02-05 07:21:00碳化硅,余年,国产,碳化硅,晶体,小龙
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...显存堆栈，集成了5nm和6nmIP，总共包含128GBHBM3显存和1460亿晶体管，将于2023年下半年上市。目前来看，AMDInstinct MI300的晶体管数量已经超过了英特尔1000亿晶体管的PonteVecchio，是AMD投产的最大芯片。从苏姿丰女士手举InstinctMI300……更多
2023-01-09 21:23:00加速卡,芯片,加速卡,芯片,晶体管,晶体
...和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前尚未解决，氧化镓场效应晶体管...……更多
2023-02-27 01:15:00晶体管,晶体,氧化,科研,结构,人员
...nte Vecchio”），采用3D封装的Chiplet技术，集成超过1000亿个晶体管，其中集成的47块裸片来自不同的代工厂，涵盖5种以上的差异化工艺节点，异构集成技术大幅提升，能够为物理、金融服务、生命科学等领域的工作负载带来更高的...……更多
2023-01-11 22:21:00英特,四代,英特尔,晶体管,晶体,处理器
...，这将是最大尺寸的智能手机SoC。芯片的尺寸更大意味着晶体管数量的增加，天玑9400拥有超过300亿个晶体管，比起天玑9300的227亿个晶体管至少增加了32%。据了解，天玑9400的芯片面积大概为150mm²，作为参考，GTX1650搭载的TU117芯...……更多
2024-04-14 17:17:00联发,天玑,拥有超过,晶体管,晶体,天玑
...积电董事长刘德音联合撰写题为《我们如何实现1万亿个晶体管GPU》的文章。刘德音在文中预测，半导体技术的突破给AI技术带来重要贡献。在未来10年，GPU集成的晶体管数将达到1万亿。而且，GPU能效性能每2年提高3倍，未来15年...……更多
2024-03-31 04:00:00估值,美金,要闻,芯片,高达,性能
...上，IBM研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进CMOS晶体管。据IT之家了解，液氮沸点极低，只有-196°C，是目前主流电子器件无法承受的超低温。然而，在如此严寒的环境下，晶体管的电阻和漏电电流都会大幅降低，从而提...……更多
2023-12-25 12:12:00晶体管,晶体,先进,晶体管,晶体,液氮
本文转自：科技日报芯片上“长”出原子级薄晶体管可大幅提高集成电路密度科技日报北京5月3日电 （记者张佳欣）美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维（2D...……更多
2023-05-04 02:05:00晶体管,晶体,原子,芯片,材料,芯片
...ley）说起。这位科学家在贝尔实验室与其他人共同发明了晶体管，并获得诺贝尔物理学奖。威廉·肖克利，图片来源：维基百科为了赚更多钱，肖克利在1955年创办了自己的实验室——肖克利半导体实验室。实验室坐落于美国加州...……更多
2023-04-23 09:49:00一句话,年前,手机,摩尔,晶体管,晶体
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
...下为芯智讯对该文章的翻译：目前芯片制造商依然是依靠晶体管微缩来推动微芯片技术的进步。虽然，这并不是改进芯片的唯一方法，例如，新颖的架构、先进封装等也可以提高性能。但摩尔定律本质上成为普遍法则是有原因的...……更多
2024-01-28 22:23:00光刻,直达,分辨率,全球,光刻,芯片
...并演示了所生长的石墨烯纳米带可用于构建高性能场效应晶体管器件。论文共同第一作者为上海交通大学物理与天文学院吕博赛、陈佳俊、娄硕、沈沛约、谢京旭，武汉大学王森和韩国蔚山国立科学技术学院的邱璐和伊扎克-米...……更多
2024-04-06 21:12:00上海交大,石墨,交大,超高,上海,纳米
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