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台积电正式使用n3制程工艺
本周，台积电已经正式开始使用其N3制程工艺量产其3nm芯片，与N5技术相比，N3技术将提供高达70%的逻辑密度增益，在相同功率下速度提升高达15%，在相同速度下功率降低高达30%，相比于N4工艺的4nm的芯片，综合性能提升大约在20%~25%左右。
根据BusinessNext近日给出的分析数据显示，台积电的N3收益率可能在60%-70%范围内，或高达75%至80%。关键是对于第一批N3工艺的晶圆来说，这个表现已经相当不错了。另一位分析师DanNystedt表示，台积电第一阶段的N3工艺的良率与之前第一阶段N5工艺的良品率相似，并且随着技术成熟，未来良品率会达到80%甚至更高。
相比之下，台积电的竞争对手三星表现并不乐观，根据调查数据显示，三星代工的3nm工艺的第一阶段良品率在10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道的所有四个侧面，电源效率和运算能力理论应该更高。但目前三星3nm的GAA工艺存在一定缺陷，导致成品率并未达到预期。
台积电表示，未来技术成熟后，会在2nm芯片阶段改用GAA工艺，确保其良品率在可控范围内。
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快照生成时间：2023-01-22 19:45:11
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