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三星正研发一种新型内存,名为 LLW DRAM
1月10日消息,三星近日透露正积极研发一种新型内存,名为LLWDRAM,意为低延迟宽I/O(LowLatencyWideI/O)DRAM。据称,这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示,LLWDRAM特别适用于需要在设备上运行大型语言模...……更多
三星推出新型存储器LLW DRAM,为人工智能市场注入新动力
...对于内存性能的需求也在不断提升。为了满足这一需求,三星电子正在积极研发并推出一种基于特定应用要求的新型存储组合产品——LLWDRAM。这种内存技术融合了高带宽、低延迟和低功耗的三大特性,旨在为运行大型语言模型...……更多
三星正在开发一种新型存储产品
...智能(AI)相关软硬件激增,为了应对超大规模的市场,三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品,包括DDR5、HBM类产品、CXL内存模块等,为各种人工智能技术提供动力。近日,三星官方介绍了旗下存储产品的开发和...……更多
三星打造全球首个大型计算系统ai训练性能提高2.5倍
12月15日消息,三星使用内置PIM(processing-in-memory)的显卡,打造出了全球首个大型计算系统。援引BusinessKorea报道,通过使用96张经过PIM改造的AMDInstinctMI100GPU,将AI训练性能提高了2.5倍。……更多
三星和海力士将会率先量产LPDDR6内存
3月15日消息,据媒体报道,三星和海力士将会率先量产LPDDR6内存。目前这两家公司希望尽快获得LPDDR6RAM认证,业内人士表示,一旦获得JEDEC的批准,三星和海力士就会准备量产LPDDR6内存。相比较LPDDR5X,LPDDR6在速度与功耗上应该...……更多
三星将展示gddr7技术
...界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,届时三星将展示其GDDR7技术,主题是“具有PAM3优化TRX均衡和ZQ校准的16Gb37Gb/sGDDR7DRAM”。GDDR7将采用PAM3编码,介于PAM4和NRZ之间,相比NRZ实现了更高的周期数据传输速率,同时降...……更多
三星 9.8Gbps 速率 HBM3E 内存已出样
10月12日消息,据三星官方博客消息,面向高性能计算(HPC)的HBM内存迎来新进展,将开发9.8Gbps的HBM3E产品,已开始向客户提供样品。此外,HBM4内存以2025年为目标正在开发中,为了适用于该产品,正在准备针对高温热特性优化...……更多
第五代HBM3e内存来了!三大存储巨头集体向英伟达供货
...供应链管理,英伟达正规划加入更多的HBM供应商。其中,三星的HBM3(24GB)预期于今年12月在NVIDIA完成验证。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应,如今三星、美光都将加入。这也意味着,三家存储龙头都将为英伟达供应HBM。而HBM...……更多
微星海皇戟X2 14th 游戏整机评测
...是酷睿i9-14900KF+RTX4090,配有64GBDDR5-5600内存,硬盘是2TB的三星PM9A1加2TB的希捷3.5寸7200转HDD。外观介绍 微星海皇戟X214th的设计是相当特别的,是很明显的左右不对称设计,左右两侧的外形和表面材质完全不一样,左侧是棱角分明...……更多
三星展示 GDDR7 显存:待机功耗比 GDDR6 低50%
10月21日消息,三星于2022年10月正式发布GDDR7显存,时隔1年,三星在圣何塞举办的存储技术日上,再次更新介绍了GDDR7显存。三星在新闻稿中表示,在过去1年中不断改善GDDR7显存的动态功耗,而且通过额外的时钟控制,待机功耗...……更多
三星正积极推进第五代HBM3e内存技术
三星电子正在积极推进第五代HBM3e内存技术的研发和测试工作。HBM(HighBandwidthMemory)是一种特殊类型的内存技术,它通过垂直堆叠多个DRAM芯片,以实现更高的数据处理速度和更大的容量。目前,HBM技术已经在高性能计算、服务...……更多
高通2nmap订单年底前完成,配套的 HBM 内存
据ETNews报道,高通已委托三星电子开发2nm原型芯片。如果三星制造的原型芯片达到该公司要求的性能和良率目标,可能会达成最终订单。原型开发是了解半导体性能和良率的过程。在半导体行业,它通常被称为“多项目晶圆”...……更多
LPDDR6 将取代现有的 LPDDR5 内存及其衍生版本
...。距离LPDDR5标准问世已有将近五年时间,在这段时间里,三星和美光推出了LPDDR5x,SK海力士也推出了LPDDR5T,其传输速率高达9.6Gbps。这些低功耗的DRAM内存非常适合智能手机、轻薄型设备甚至笔记本电脑/迷你台式机等强调低功耗...……更多
国产存储芯片突破,LPDDR5内存发布,但落后三星还有4年
...清楚了,去年全球第一家量产了232层的3D NAND,比美光、三星等更领先,按照媒体的说法,是中国第一家在芯片技术上,超过欧美日韩的厂商。不过,后来美国出手,对长江存储进行打压,这对长存的影响还是非常大的。而近日...……更多
集邦咨询:2023年hbm需求同比增长58%
...2、HBM2E、HBM3和HBM3e。目前在HBM3研发最前沿的是SK海力士和三星两家公司,英伟达的H100/H800、AMD的MI300系列AI加速卡均采用HBM3。SK海力士和三星预计将在2024年第一季度提供HBM3e样品。另一方面,美国内存公司美光正在绕过HBM3,直接...……更多
三星GDDR7显存新能创新高
三星在存储技术日上再次更新了其GDDR7显存的技术信息。自从三星于2022年10月正式发布GDDR7显存以来,这一技术在业内引起了广泛的关注。此次三星的更新,带来了关于该技术更多的细节和改进。首先,三星在改善GDDR7显存的动...……更多
三星计划明年第一季度推出512gb和256gb容量产品
三星正在研发CMM-H混合存储CXL模块。这个模组同时包含DRAM内存和NAND闪存。CXL是一种新型的高速互联技术,具有更高的数据传输量和更低的延迟,可以在CPU和外部设备之间建立高效的连接。根据三星提供的图示,该模组可以通过C...……更多
台积电新技术突破 功耗仅为STT-MRAM的1%
...中常见的精致磁性材料,满足新一代内存需求,并吸引了三星、英特尔等大厂投入研发。目前,台积电已经成功开发出22纳米和16/12纳米工艺的MRAM产品线,并获得了大量来自内存和车用市场的订单。此次发布的SOT-MRAM内存再次展...……更多
存储市场“供销两旺”原厂业绩好转,AI对存储应用市场提出要求
...周期,包括存储原厂在内的产业链企业都遭遇重创,最终三星、SK海力士、美光科技、西部数据和铠侠等厂商纷纷宣布减少产能,并降低关于存储业务的资本性支出。不约而同的减产计划,促使存储周期提前进入复苏阶段。“去...……更多
英特尔将推出四款lunarlake产品
...在今年秋季到年末间推出。据DigiTimes报道,英特尔已经与三星签订合同,后者将为前者的LunarLake芯片提供LPDDR5X。如果信息是正确的,考虑到LunarLake未来的出货量,对于三星来说是一个巨大的胜利。根据之前泄露的信息,英特尔...……更多
达墨ddr5性能测试
...拥有3840*2160分辨率、144Hz刷新率和1msGTG低延迟,表面覆盖三星的QD量子膜,可以大幅提升对比度和鲜艳度,拥有97%的P3色域,通过了HDR600认证。写在最后作为一款16G单条售价只要299元的DDR5内存,达墨DDR5普条超频后的表现还是比较...……更多
分析师:美光32gbnvdram有三项技术进展
...得美光可仅用48nm成熟工艺就生产出32GbNVDRAM。作为对比,三星去年推出了相同32Gb容量的DDR5DRAM,其采用的是12nm级工艺,相较美光样品大幅领先。不过JimHandy也表示,其听到过一些关于该NVDRAM不会进入量产阶段的暗示。另一位接受...……更多
sk海力士展示gddr7显存技术
昨天我们报道过三星会在2月18日至22日在美国旧金山举行的ISSCC2024上介绍其最新的GDDR7显存技术,速率达到了37Gb/s,为16Gbit模块,而另一家韩国半导体巨头SK海力士自然也不会错过在这次大会上展示肌肉。SK海力士将会成为继三星...……更多
lpddr6内存标准定稿完成:第三季度正式发布
...将会首发采用新一代LPDDR6内存,容量更大,带宽更高,由三星供货。2024年也被很多人称为AI手机元年,各种端侧AI应用也对手机内存的速度有了更高的要求,而LPDDR6的高速度和低功耗特性,也就成为了AI应用的最佳选择。而且就...……更多
三星推出新款高性能和大容量microSD卡
三星宣布,推出新一代microSD卡,包括顺序读取速度达800MB/s的256GBSDExpressmicroSD卡和1TBUHS-1microSD卡,目标是提供未来移动计算和设备上人工智能(AI)应用所需的差异化内存解决方案。三星内存品牌产品事业组副社长HanguSohn表示,...……更多
自带32GB内存!Intel首秀未来酷睿Ultra:超低功耗仅仅8W
...当时还以为就是Meteor Lake家族的一个版本,而且那时候是三星的颗粒,频率仅为7500MHz,容量8/16GB。 Lunar Lake的功耗范围将有两种级别,一是17-30W,采用主动风扇散热,二是仅仅8W,无需风扇被动散热即可。看起来,这也是对高通...……更多
三星计划增加ddr5内存
...较低的水平,这也让内存从DDR4向DDR5过渡变得缓慢。此前三星、SK海力士和美光等企业都选择大规模减产,主要集中于DDR4,同时将注意力更多地放到DDR5和HBM类产品上。据Wccftech报道,三星已经决定增加用于DDR5的电源管理IC,以应...……更多
三星发力新一代内存技术CXL 近期申请多个相关商标 【三星发力新一代内存技术CXL 近期申请多个相关商标】《科创板日报》20日讯,近期,三星申请了多个CXL产品相关商标,引起各界关注。据《韩国先驱报》援引业内人士消息称...……更多
三星预计 2024 年初开始量产下一代 NAND 内存
10月17日消息,三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展,并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星电子存储业务主管李政培(LeeJung-Bae)称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的...……更多
三星S24系列内存规格曝光,依旧只有8GB引众多网友吐槽
国产旗舰芯片骁龙8Gen3热销,三星S24系列却遭遇网友吐槽。其中,中杯S24被指责内存只有8GB,与国内安卓旗舰的最低12GB相比显得不够强大。三星未提供12GB内存的选择,只能升级至S24+。三星在按照内存规格划分机型档次方面效仿...……更多
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