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三星正在研发CMM-H混合存储CXL模块。这个模组同时包含DRAM内存和NAND闪存。
CXL是一种新型的高速互联技术,具有更高的数据传输量和更低的延迟,可以在CPU和外部设备之间建立高效的连接。根据三星提供的图示,该模组可以通过CXL界面直接在闪存部分和CPU之间传输块I/O数据,并且还可以通过DRAM缓存和CXL界面实现64字节的内存I/O传输。
据三星展示的路线图显示,他们计划在今年上半年制作一款基于FPGA的CXL1.1控制器的CMM-H产品原型。这款产品容量最大可达4TB,带宽最高可达8GB/s。展望未来商用量产的CMM-H模块,将采用成熟的ASIC控制器,并支持CXL3.0规范。该产品容量最大可达16TB,带宽提升至64GB/s,在2026年准备就绪。
此外,在更传统的CXL-D纯内存CXL存储模组方面,三星计划明年第一季度推出容量为128GB、采用1nm制程DRAM颗粒、速度达到6400MT/s的第二代产品。随后,三星还将推出512GB和256GB容量的产品。
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快照生成时间:2024-03-22 09:45:04
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