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分析师：美光32gbnvdram有三项技术进展
1月29日消息，美光于2023年末在IEEEIEDM会议上披露了其32Gb3DNVDRAM（非易失性DRAM）研发成果。不过根据外媒Blocks&Files从两位受采访的行业分析师处得到的消息，这一突破性的新型内存基本不可能走向商业化量产道路，但其展现的技术进展有望出现在未来内存产品之中。
美光的NVDRAM内存基于铁电性（IT之家注：具有自发极化，且极化方向可在外加电场下反转）原理，可在拥有类似NAND闪存的非易失性的同时获得接近DRAM的高耐久和低延迟。该新型内存采用双层3D堆叠，32Gb的容量密度创下了铁电性存储器的新纪录。美光已基于LPDDR5规范对NVDRAM样品进行了测试，认为其适合严苛的AI负载。
▲相关论文海报，图源Egnyte
不过，两位受采访的分析师均认为，美光NVDRAM本身不太可能成为量产产品。
来自ObjectiveAnalysis的分析师JimHandy认为，美光的32GbNVDRAM有三项重要技术进展：
首次在产品中实现相较现有DRAM更小的铁电性电容器；
在垂直通道上引入多晶硅技术；
将被用于3DNAND生产的CuA（CMOS阵列下）技术推广到内存领域。
JimHandy认为，美光NVDRAM在电容器中使用了锆（Zr）掺杂的氧化铪（HfO₂）高介电常数材料，可大幅降低内存刷新率并显著节省功耗。这一改进也可减小DRAM中电容器的体积，进一步提升存储密度。上述一系列技术改进使得美光可仅用48nm成熟工艺就生产出32GbNVDRAM。作为对比，三星去年推出了相同32Gb容量的DDR5DRAM，其采用的是12nm级工艺，相较美光样品大幅领先。
不过JimHandy也表示，其听到过一些关于该NVDRAM不会进入量产阶段的暗示。
另一位接受采访的分析师是来自MKWVentures的MarkWebb。他认为美光在相关项目上投入了大量的时间和精力。而这样一份详细的论文出现在IEDM会议上，一般只有两种情况：要么即将推出产品；要么产品因未知原因取消。MarkWeb的结论是，他也不认为这一特定版本的产品将量产。
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快照生成时间：2024-01-30 09:45:05
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