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台积电新技术突破 功耗仅为STT-MRAM的1%
类别：科技 发布时间：2024-01-18 20:41:00 来源：瘦子财经
1月18日，台积电与工业技术研究院（ITRI）合作研发的“自旋轨道力矩式磁性内存”（SOT-MRAM）取得突破性进展。该技术搭载创新运算架构，功耗仅为STT-MRAM的百分之一。台积电表示，这一新款SOT-MRAM内存将进一步巩固其在市场上的地位。
随着AI、5G时代的到来，自动驾驶、精准医疗诊断和卫星影像辨识等场景需要更快、更稳、功耗更低的新一代内存。磁阻式随机存取内存（MRAM）是一种非易失性内存技术，采用硬盘中常见的精致磁性材料，满足新一代内存需求，并吸引了三星、英特尔等大厂投入研发。
目前，台积电已经成功开发出22纳米和16/12纳米工艺的MRAM产品线，并获得了大量来自内存和车用市场的订单。此次发布的SOT-MRAM内存再次展示了台积电在这个领域的领先地位。
据悉，SOT-MRAM内存搭载创新运算架构，功耗仅为STT-MRAM的1%，这一成果不仅领先于国际水平，并在国际电子元件领域顶尖会议IEDM上进行了发布。
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快照生成时间：2024-01-19 00:45:02
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