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1月18日,台积电与工业技术研究院(ITRI)合作研发的“自旋轨道力矩式磁性内存”(SOT-MRAM)取得突破性进展。该技术搭载创新运算架构,功耗仅为STT-MRAM的百分之一。台积电表示,这一新款SOT-MRAM内存将进一步巩固其在市场上的地位。
随着AI、5G时代的到来,自动驾驶、精准医疗诊断和卫星影像辨识等场景需要更快、更稳、功耗更低的新一代内存。磁阻式随机存取内存(MRAM)是一种非易失性内存技术,采用硬盘中常见的精致磁性材料,满足新一代内存需求,并吸引了三星、英特尔等大厂投入研发。
目前,台积电已经成功开发出22纳米和16/12纳米工艺的MRAM产品线,并获得了大量来自内存和车用市场的订单。此次发布的SOT-MRAM内存再次展示了台积电在这个领域的领先地位。
据悉,SOT-MRAM内存搭载创新运算架构,功耗仅为STT-MRAM的1%,这一成果不仅领先于国际水平,并在国际电子元件领域顶尖会议IEDM上进行了发布。
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快照生成时间:2024-01-19 00:45:02
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