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芯联动力科技申请沟槽型场效应晶体管专利,降低导通电阻
...动力科技(绍兴)有限公司申请一项名为“沟槽型场效应晶体管”的专利,公开号 CN 119153529 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明提供了一种沟槽型场效应晶体管,包括:基底,所述基底具有沿第一方向依次间隔排布...……更多
伯克利实验室开发的新型微型电容器显示出创纪录的能量和功率密度
...的研究中,萨拉赫丁及其同事展示了利用负电容材料生产晶体管的方法,这种晶体管的工作电压大大低于传统的 MOSFET 晶体管。在这里,他们利用负电容生产出了能够存储更多电荷的电容器,因此也存储了更多能量。 这些薄膜...……更多
晶体管,到底是谁发明的
...,以及硅晶体二极管的优异表现,坚定了默文・凯利发展晶体管技术的决心。他暗下决定,要带领贝尔实验室,allin半导体。1945年7月,二战临近结束。为了适应战后研究方向的调整,贝尔实验室进行了各个研究部门的改组。当...……更多
内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成,位线提供注入晶体管...……更多
多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式,突破二维平面晶体管集成维度限制
...们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管,推动了二维半导体电子器件的应用发展。这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法,通过范德瓦尔斯界面耦合的方式,来调控二维半导体沟道的载流子极性。利用这一...……更多
二维场效应晶体管的三维集成
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番,这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而,随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限,摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦,因为他们需要制造更小、更强大...……更多
美国研究人员创造了一种特殊的晶体管
...院、西北大学和波士顿学院的研究人员创造了一种特殊的晶体管,它能够像人类大脑一样去思考问题、记忆事物——即能够同时处理和存储信息。普通计算机在执行任务时,尤其在处理来自智能设备的数据时会消耗大量能源。而...……更多
麻省理工学院的3D纳米级晶体管利用量子隧道设计绕过物理限制
硅晶体管的表现已然非常出色,但就像物理世界中的其他物体一样,它们也受到一些限制。 物理定律对性能和能效造成了瓶颈。 现在,麻省理工学院的一组工程师可能已经找到了一种方法,利用一种激进的新型晶体管设计,以...……更多
固态热晶体管超高速精确控制热量
本文转自:科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源:胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 (记者张梦然)美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
群创光电申请电子装置专利,可有效地驱动可调谐组件
...件耦合到像素电路。像素电路包含存储电容器、第一扫描晶体管以及第二扫描晶体管。第一扫描晶体管耦合到存储电容器。第二扫描晶体管耦合到存储电容器。本公开的电子装置可有效地驱动可调谐组件。本文源自:金融界作者...……更多
摩尔定律再进化,2纳米之后芯片如何继续突破物理极限
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小,人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍,特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
美国基础物理重大发明!革命性铁电晶体管
美国麻省理工学院发明了一种铁电材料制成的晶体管,可能会彻底改变电子学,并在未来一二十年改变世界,这项研究已发表在6月6日《科学》杂志上。这项基础物理的重大突破,简单来说就是科学家们利用单层石墨烯作为沟道...……更多
联华电子申请具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构及其制作方法专利,提高半导体结构性能
...信息显示,联华电子股份有限公司申请一项名为“具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构及其制作方法”的专利,公开号CN 119153459 A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本发明公开一种具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半...……更多
Intel制程工艺4大突破:封装吞吐量提升100倍
...工艺节点的计划,计划到2030年在单个芯片上封装1万亿个晶体管,因此先进的晶体管技术、缩微技术、互连技术、封装技术都至关重要。Intel代工此番公布的四大突破包括:1、减成法钌互连技术该技术采用了钌这种替代性的新型...……更多
Intel展示全新3D晶体管:氮化镓都用上了!
...些突破旨在推进摩尔定律,并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先,Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact),并...……更多
英特尔代工四大突破性技术解析:为高性能高密度计算铺路
...术,选择性层转移技术(SLT),环绕栅极硅基RibbonFET CMOS晶体管技术以及用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层技术。同时,针对这些前沿技术,英特尔代工提交了七篇相关论文,这些论文涵盖模块化计算系统、GAA 2D FETs栅氧化层模...……更多
...沿选择电路及控制电路,包括:金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;第二电阻的第一端用于连接脉冲信号源;第二电阻的第二端通过第三电阻接地;第二电阻的第二端连接MOS管的栅极;MOS管的...……更多
如何降低电脑的能耗?
...周知,信息在电脑中是以0/1的形式存储和处理的。0/1对应晶体管微电子开关在施加电压时快速的开/关。这个过程会产生电阻,从而产生热量。鉴于芯片中动辄有数十亿个晶体管,所以一台电脑工作时散发的热量相当可观。在历...……更多
台积电2nm芯片初始产能将花落谁家!曝苹果有望最先采用
...越小代表了越先进的制造工艺,可以使芯片上集成更多的晶体管,从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
芯片的功耗问题不断提升
...芯片和系统设计,而且这些问题在不断扩大和增多。随着晶体管密度的提高,这些微小的数字开关产生的热量无法通过传统方式消除。尽管这个问题看似可以控制,但这产生了一连串需要整个行业共同解决的新问题,包括EDA公司...……更多
英特尔在IEDM大会上展示新工艺,背面供电与堆叠晶体管纷纷亮相
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线,包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会(IEDM)...……更多
芯联集成拟收购芯联越州72.33%股权
...目的实施主体,拥有高端车规级硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)及SiCMOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)产线。标的公司于2022年初步形成量产能力,2023年开始进入规模量产,量产当年已实现营业收入15.60亿元。但由...……更多
通往万亿晶体管芯片,关键技术揭秘
...01)作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年,在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念?英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100,在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管;英特尔即将推出的数据中心...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
上海交大团队开发超高质量石墨烯纳米带
...并演示了所生长的石墨烯纳米带可用于构建高性能场效应晶体管器件。论文共同第一作者为上海交通大学物理与天文学院吕博赛、陈佳俊、娄硕、沈沛约、谢京旭,武汉大学王森和韩国蔚山国立科学技术学院的邱璐和伊扎克-米...……更多
麻省大学团队研发网格生物电子系统,为心脏组织工程提供新工具
...多功能石墨烯纳米电子的传感器,由于集成了单层石墨烯晶体管,因此可以跟踪心脏微组织的激发-收缩过程。图 | 高洪岩(来源:高洪岩)在这款设备之中,石墨烯充当着晶体管的作用,即利用石墨烯的场效应和压阻效应,可...……更多
三星官宣2025年量产2nm芯片,2027年量产1.4nm
...仅体现在工艺节点的推进,更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案,相较于传统的FinFET结构,实现了11%至46%的晶体管性能跃升,同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
魏大程团队设计了一种新型功能型光刻胶
...密度越来越高,硅基芯片集成器件的密度已经超过2亿个晶体管每平方毫米。目前,集成电路芯片主要采用单晶硅制造。与硅材料相比,有机半导体材料具有本征柔性、生物相容性、成本低廉等优势,在可穿戴电子设备、生物电...……更多
三星官宣!2027年推出1.4纳米工艺
...。除了工艺节点的推进外,三星还对其多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构进行了深度优化。这种新型晶体管通过采用先进的外延技术和集成方案,在性能方面取得了11%至46%的飞跃,并降低了约50%的漏电流。与此同时,三星与Ar...……更多
Intel太无耻,跟着玩数字游戏还揭台积电的老底,工艺都是假的
...益落后的情况下确实有点慌了。Intel指出它的7纳米工艺的晶体管密度达到1.234亿晶体管每平方毫米,而台积电的3纳米工艺却是1.24亿晶体管每平方毫米,两者的晶体管数量差不多,但是在命名上却差距甚远。这已不是Intel第一次指...……更多
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翰宇药业与华为云就“AI智药”全面合作,将开发药物研发大模型
4月27日,翰宇药业(300199.SZ)与华为云计算技术有限公司举行全面合作协议签约仪式。此次全面合作的开展意义深远
2025-04-27 22:36:00
神州控股(00861)2024年报全景解析: 聚焦主业,激活可持续发展新动能
4月25日,神州数码控股有限公司(00861)发布了《2024年报》和《2024环境、社会及管治报告》,从各方面全景展示了公司的发展状态和战略部署
2025-04-27 22:38:00
电力服务助企降碳
国家电网有限公司2025年第二季度重点工作研讨班强调,全面抓好公司贯彻全国两会精神22项重点工作任务落实。公司各单位围绕“加快发展绿色低碳经济”“积极稳妥推进碳达峰碳中和”
2025-04-27 22:38:00
新股消息|联合信息递表港交所 公司的收益主要来自IT解决方案服务
智通财经APP获悉,据港交所4月25日披露,河南联合信息科技股份有限公司(简称:联合信息)递表港交所,越秀融资、华升资本为其联席保荐人
2025-04-27 22:38:00
大理鲜活农产品出口一站式服务,助力高原水果“鲜” 行
大理州鲜活农产品出口一站式服务中心自去年投入使用以来大理海关创新集中查验监管模式搭建“口岸海关+属地海关”联动机制持续提升出口农产品的通关效率助力大理州高原特色水果抢”鲜“出口【高效通关】“随到随检”打造水果出口快车道每天早晨
2025-04-27 22:38:00
荣盛发展去年亏损约84.43亿元,要“过苦日子、紧日子”
荣盛发展 视觉中国 资料图4月27日,荣盛发展(002146.SZ)披露2024年年报。财报显示,2024年荣盛发展营业收入约380
2025-04-27 22:39:00
低空经济发展趋势报告发布 六大趋势揭示低空经济发展规律
2025年4月27日,由中国低空经济联盟和湾区硅谷主办,以“低空经济重新定义城市交通”为主题的第二届全球低空经济论坛春季会在北京国贸大酒店举行
2025-04-27 22:39:00
化解主动权益基金发展“痛点”:提升业绩和服务,改善投资者体验
曾经风光无限的公募主动权益基金近三年规模“黯然”回落,体现了这类产品的“最大痛点”——投资者信任与体验存在短板。从业内反馈来看
2025-04-27 22:41:00
000584,002336,可能被终止上
2家上市公司,可能被终止上市,*ST工智自4月28日开市起停牌。*ST工智(000584)4月27日晚间公告称,由于尤尼泰振青会计师事务所(特殊普通合伙)(以下简称“尤尼泰振青”)对公司2024年度财务报表出具了无法表示意见的审计报告
2025-04-27 22:41:00
广西丞漆新型材料科技有限公司注册“丞漆”商标获核准
天眼查财产线索显示,近日,广西丞漆新型材料科技有限公司申请注册“丞漆”商标获核准,国际分类为02-颜料油漆,商标注册号81602815
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国网河南电力创新举措让电动重卡满电上路
4月27日,在河南省安阳县铜冶镇安阳瑞盛昌新能源有限公司电动重型卡车充电站内,几辆目的地为山西的物流运输电动重卡正在快充桩旁充电
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江门台山新核电机组获国家核准
4月27日,国务院常务会议审议决定核准一批核电项目。中广核所属广西防城港核电5、6号机组,广东台山核电3、4号机组共4台新机组正式落地
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2025-04-27 23:11:00