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Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了！
2023-12-11 09:20:25 作者：姚立伟
在2023年的IEDM国际电子器件会议上，Intel展示了其在半导体技术领域的多项突破进展。这些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。
首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact)，并且采用60纳米的栅极间距。通过将多个晶体管堆叠在一起，这种技术可以提高面积效率和性能优势。
另外，在同一块300毫米晶圆上集成硅和氮化镓（GaN-on-silicon）晶体管的实现也成为了 Intel 的一项重要进展。这为未来300毫米晶圆制造提供了可行性路径，并且 Intel 成功开发出名为“DrGaN”的高性能、大规模集成电路供电方案。
此外, Intel 还展示了一种全新的过渡金属二硫属化物(TMD)晶体管技术。这种技术使得晶体管物理栅极长度可以微缩到10纳米以下。除此之外，Intel还展示了两款与之相关的技术：GAA 2D过渡金属二硫属化物PMOS晶体管以及使用300毫米晶圆制造的2D晶体管。
总之，Intel在IEDM 2023上展示了多项半导体技术突破，其中包括3D堆叠CMOS晶体管、硅和氮化镓(GaOnSilicon)集成以及全新的过渡金属二硫属化物(TMD)晶体管。这些进步将进一步推动摩尔定律的实现，并为未来电子产品的性能提升带来希望。 返回搜狐，查看更多
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快照生成时间：2023-12-11 18:45:02
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