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Intel制程工艺4大突破：封装吞吐量提升100倍
快科技12月8日消息，最新一届IEEE国际电子器件会议IEDM 2024上，Intel代工展示了四大半导体制程工艺突破，涵盖新材料、异构封装、全环绕栅极(GAA)等领域。
目前，Intel正在持续推进四年五个工艺节点的计划，计划到2030年在单个芯片上封装1万亿个晶体管，因此先进的晶体管技术、缩微技术、互连技术、封装技术都至关重要。
Intel代工此番公布的四大突破包括：
1、减成法钌互连技术
该技术采用了钌这种替代性的新型金属化材料，同时利用薄膜电阻率（thin film resistivity）、空气间隙（airgap），Intel代工在互连微缩方面实现了重大进步，具备可行性，可投入量产，而且具备成本效益。
引入空气间隙后，不再需要通孔周围昂贵的光刻空气间隙区域，也可以避免使用选择性蚀刻的自对准通孔（self-aligned via）。
在间距小于或等于25纳米时，采用减成法钌互连技术实现的空气间隙，可以使线间电容最高降低25％，从而替代铜镶嵌工艺的优势。
该技术有望在Intel代工的未来制程节点中得以应用。
2、选择性层转移（SLT）
一种异构集成解决方案，能够以更高的灵活性集成超薄芯粒(chiplet)，对比传统的芯片到晶圆键合（chip-to-wafer bonding）技术，能大大缩小芯片尺寸，提高纵横比，尤其是可以芯片封装中将吞吐量提升高达100倍，进而实现超快速的芯片间封装。
这项技术还带来了更高的功能密度，再结合混合键合（hybrid bonding）或融合键合（fusion bonding）工艺，封装来自不同晶圆的芯粒。
3、硅基RibbonFET CMOS晶体管
为了进一步缩小RibbonFET GAA晶体管，Intel代工展示了栅极长度为6纳米的硅基RibbonFET CMOS晶体管。
它在大幅缩短栅极长度、减少沟道厚度的同时，对短沟道效应的抑制和性能也达到了业界领先水平。
它为进一步缩短栅极长度铺平了道路，而这正是摩尔定律的关键基石之一。
4、用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层
为了在CFET（互补场效应晶体管）之外进一步加速GAA技术创新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS（N 型金属氧化物半导体）和PMOS（P 型金属氧化物半导体）晶体管制造方面的研究。
该技术侧重于栅氧化层模块的研发，将晶体管的栅极长度缩小到了30纳米。
同时，2D TMD（过渡金属二硫化物）研究也取得了新进展，未来有望在先进晶体管工艺中替代硅。
此外值得一提的是，Intel代工还在300毫米GaN（氮化镓）方面持续推进开拓性的研究。
Intel代工在300毫米GaN-on-TRSOI（富陷阱绝缘体上硅）衬底上，制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管），可以减少信号损失，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案。
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