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芯联动力科技申请沟槽型场效应晶体管专利，降低导通电阻
类别：财经 发布时间：2024-12-21 21:42:00 来源：瘦子财经
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，芯联动力科技（绍兴）有限公司申请一项名为“沟槽型场效应晶体管”的专利，公开号 CN 119153529 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型场效应晶体管，包括：基底，所述基底具有沿第一方向依次间隔排布的多个栅极沟槽，各所述栅极沟槽沿第二方向延伸设置，所述第二方向正交于所述第一方向；栅极结构，各所述栅极沟槽均通过一所述栅极结构填充；多个第一电场屏蔽结构，多个所述第一电场屏蔽结构沿所述第二方向依次排布，各所述第一电场屏蔽结构与各所述栅极沟槽的至少底壁具有重叠区域，第一电场屏蔽结构在靠近栅极沟槽的位置收窄可以明显降低导通电阻，实现导通电阻和栅氧层底部电场屏蔽更好的折衷。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2024-12-21 23:45:07
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