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联华电子申请具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构及其制作方法专利，提高半导体结构性能
类别：财经 发布时间：2024-12-21 21:44:00 来源：瘦子财经
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN 119153459 A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本发明公开一种具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构及其制作方法，其中该具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构包含一基底，基底分为一高压晶体管区和一低压晶体管区，一深沟槽设置于高压晶体管区，其中深沟槽包含一第一沟槽和一第二沟槽，其中第一沟槽包含一第一底部，第二沟槽由第一底部开始往基底的底部延伸，一第一浅沟槽和一第二浅沟槽设置于低压晶体管区，其中第一浅沟槽的长度和第二沟槽的长度相同，一绝缘层分别填满第一沟槽、第二沟槽、第一浅沟槽和第二浅沟槽。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2024-12-21 23:45:07
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信息原文地址：
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