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...动力科技（绍兴）有限公司申请一项名为“沟槽型场效应晶体管”的专利，公开号 CN 119153529 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型场效应晶体管，包括：基底，所述基底具有沿第一方向依次间隔排布...……更多
2024-12-21 21:42:00沟槽,晶体管,通电,晶体,效应,专利
...的研究中，萨拉赫丁及其同事展示了利用负电容材料生产晶体管的方法，这种晶体管的工作电压大大低于传统的 MOSFET 晶体管。在这里，他们利用负电容生产出了能够存储更多电荷的电容器，因此也存储了更多能量。
这些薄膜...……更多
2024-05-21 10:33:00伯克,伯克利,电容器,电容,密度,功率
...，以及硅晶体二极管的优异表现，坚定了默文・凯利发展晶体管技术的决心。他暗下决定，要带领贝尔实验室，allin半导体。1945年7月，二战临近结束。为了适应战后研究方向的调整，贝尔实验室进行了各个研究部门的改组。当...……更多
2023-02-02 15:38:00晶体管,晶体,肖克利,肖克,晶体,贝尔实验室
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成，位线提供注入晶体管...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管，推动了二维半导体电子器件的应用发展。这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法，通过范德瓦尔斯界面耦合的方式，来调控二维半导体沟道的载流子极性。利用这一...……更多
2024-05-31 14:21:00二维,范式,维度,晶体管,量子,攻关
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番，这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而，随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限，摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦，因为他们需要制造更小、更强大...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
...院、西北大学和波士顿学院的研究人员创造了一种特殊的晶体管，它能够像人类大脑一样去思考问题、记忆事物——即能够同时处理和存储信息。普通计算机在执行任务时，尤其在处理来自智能设备的数据时会消耗大量能源。而...……更多
2023-12-21 09:46:00晶体管,美国,晶体,研究人员,人员,研究
硅晶体管的表现已然非常出色，但就像物理世界中的其他物体一样，它们也受到一些限制。 物理定律对性能和能效造成了瓶颈。 现在，麻省理工学院的一组工程师可能已经找到了一种方法，利用一种激进的新型晶体管设计，以...……更多
2024-11-07 09:58:00麻省理工学院,麻省,晶体管,量子,晶体,纳米
本文转自：科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源：胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 （记者张梦然）美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
2023-11-06 03:06:00晶体管,晶体,电场,热量,固态,加州大学洛杉矶分校
...件耦合到像素电路。像素电路包含存储电容器、第一扫描晶体管以及第二扫描晶体管。第一扫描晶体管耦合到存储电容器。第二扫描晶体管耦合到存储电容器。本公开的电子装置可有效地驱动可调谐组件。本文源自：金融界作者...……更多
2024-12-21 21:44:00光电,组件,装置,专利,驱动,电子
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小，人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍，特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
美国麻省理工学院发明了一种铁电材料制成的晶体管，可能会彻底改变电子学，并在未来一二十年改变世界，这项研究已发表在6月6日《科学》杂志上。这项基础物理的重大突破，简单来说就是科学家们利用单层石墨烯作为沟道...……更多
2024-07-30 09:42:00铁电,晶体管,革命性,美国,晶体,革命
...信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN 119153459 A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本发明公开一种具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半...……更多
2024-12-21 21:44:00深沟,半导体,绝缘,联华,浅沟,结构
...工艺节点的计划，计划到2030年在单个芯片上封装1万亿个晶体管，因此先进的晶体管技术、缩微技术、互连技术、封装技术都至关重要。Intel代工此番公布的四大突破包括：1、减成法钌互连技术该技术采用了钌这种替代性的新型...……更多
2024-12-08 18:12:00吞吐量,制程,吞吐,封装,突破,工艺
...些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact)，并...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...术，选择性层转移技术（SLT），环绕栅极硅基RibbonFET CMOS晶体管技术以及用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层技术。同时，针对这些前沿技术，英特尔代工提交了七篇相关论文，这些论文涵盖模块化计算系统、GAA 2D FETs栅氧化层模...……更多
2024-12-10 23:14:00密度计,英特,英特尔,代工,突破性,高性能
...沿选择电路及控制电路，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；第二电阻的第一端用于连接脉冲信号源；第二电阻的第二端通过第三电阻接地；第二电阻的第二端连接MOS管的栅极；MOS管的...……更多
2024-06-23 05:03:00上汽集团,脉冲,电路,控制,选择,信号
...周知，信息在电脑中是以0/1的形式存储和处理的。0/1对应晶体管微电子开关在施加电压时快速的开/关。这个过程会产生电阻，从而产生热量。鉴于芯片中动辄有数十亿个晶体管，所以一台电脑工作时散发的热量相当可观。在历...……更多
2024-04-16 14:32:00能耗,电脑,能耗,电脑,量子,晶体管
...越小代表了越先进的制造工艺，可以使芯片上集成更多的晶体管，从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
2024-01-26 05:09:00最先,芯片,苹果,纳米,芯片,晶体
...芯片和系统设计，而且这些问题在不断扩大和增多。随着晶体管密度的提高，这些微小的数字开关产生的热量无法通过传统方式消除。尽管这个问题看似可以控制，但这产生了一连串需要整个行业共同解决的新问题，包括EDA公司...……更多
2024-03-27 04:00:00功耗,芯片,不断,问题,功耗,问题
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...目的实施主体，拥有高端车规级硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）及SiCMOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）产线。标的公司于2022年初步形成量产能力，2023年开始进入规模量产，量产当年已实现营业收入15.60亿元。但由...……更多
2024-06-23 12:26:00联集,越州,股权,越州,晶圆,联集
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...并演示了所生长的石墨烯纳米带可用于构建高性能场效应晶体管器件。论文共同第一作者为上海交通大学物理与天文学院吕博赛、陈佳俊、娄硕、沈沛约、谢京旭，武汉大学王森和韩国蔚山国立科学技术学院的邱璐和伊扎克-米...……更多
2024-04-06 21:12:00上海交大,石墨,交大,超高,上海,纳米
...多功能石墨烯纳米电子的传感器，由于集成了单层石墨烯晶体管，因此可以跟踪心脏微组织的激发-收缩过程。图 | 高洪岩（来源：高洪岩）在这款设备之中，石墨烯充当着晶体管的作用，即利用石墨烯的场效应和压阻效应，可...……更多
2024-04-13 11:25:00麻省,网格,心脏,团队,生物,工具
...仅体现在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案，相较于传统的FinFET结构，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
2024-06-17 23:15:00三星,芯片,三星,技术,晶体管,节点
...密度越来越高，硅基芯片集成器件的密度已经超过2亿个晶体管每平方毫米。目前，集成电路芯片主要采用单晶硅制造。与硅材料相比，有机半导体材料具有本征柔性、生物相容性、成本低廉等优势，在可穿戴电子设备、生物电...……更多
2024-07-14 13:25:00光刻,功能型,团队,功能,设计,光刻
...。除了工艺节点的推进外，三星还对其多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构进行了深度优化。这种新型晶体管通过采用先进的外延技术和集成方案，在性能方面取得了11%至46%的飞跃，并降低了约50%的漏电流。与此同时，三星与Ar...……更多
2024-06-13 17:59:00三星,纳米,工艺,电商,三星,分隔符
...益落后的情况下确实有点慌了。Intel指出它的7纳米工艺的晶体管密度达到1.234亿晶体管每平方毫米，而台积电的3纳米工艺却是1.24亿晶体管每平方毫米，两者的晶体管数量差不多，但是在命名上却差距甚远。这已不是Intel第一次指...……更多
2024-06-24 09:18:00老底,无耻,跟着,工艺,数字,纳米
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