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...相同电压下可以将功耗降低 24% 至 35%，或将性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，以及 N2 NanoFlex 设计技术协同优化和其他一些增强功能...……更多
2024-12-16 19:19:00晶圆,深度,晶体管,晶体,栅极,制程
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...工艺节点的计划，计划到2030年在单个芯片上封装1万亿个晶体管，因此先进的晶体管技术、缩微技术、互连技术、封装技术都至关重要。Intel代工此番公布的四大突破包括：1、减成法钌互连技术该技术采用了钌这种替代性的新型...……更多
2024-12-08 18:12:00吞吐量,制程,吞吐,封装,突破,工艺
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...的营销工具。通常，较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管，从而导致较高的晶体管数量。这很重要，因为晶体管数量越多，芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片，但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact)，并...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...积电的 N2 将是该公司首个使用全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管的制程工艺，有望大幅降低功耗、提高性能和晶体管密度。台积电的GAA纳米片晶体管不仅比 3nm FinFET 晶体管小，而且通过提供改进的静电控制和减少泄漏而不影响性...……更多
2024-12-05 09:54:00爆料,工程师,客户,工程,晶体管,晶体
...块芯片最大的亮点——GAA工艺（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管）。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管，听上去就如同天方夜谭，但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来，那么就...……更多
2024-07-13 09:52:00三星,芯片,全球,三星,工艺,芯片
...术，选择性层转移技术（SLT），环绕栅极硅基RibbonFET CMOS晶体管技术以及用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层技术。同时，针对这些前沿技术，英特尔代工提交了七篇相关论文，这些论文涵盖模块化计算系统、GAA 2D FETs栅氧化层模...……更多
2024-12-10 23:14:00密度计,英特,英特尔,代工,突破性,高性能
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小，人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍，特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番，这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而，随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限，摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦，因为他们需要制造更小、更强大...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
...，目前全球还没有商业化的先例。三星也宣扬全环绕栅极晶体管（GAA）的架构，随着芯片变得越来越精细，甚至突破物理极限，GAA视为继续为AI制造更强大芯片的重要因素。台积电等竞争对手也在开发GAA芯片，但三星起步更早，...……更多
2024-06-13 18:48:00制程,三星,路线图,研发生产,纳米,芯片
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成，位线提供注入晶体管...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...宽量值向硅晶格常数溯源的计量途径，成为中国集成电路晶体管栅极线宽溯源最精准“标尺”，支撑集成电路制造向极微观尺度迈进，提升集成电路芯片集成度和性能先进制造水平，促进中国集成电路产业发展。纳米线宽作为集...……更多
2024-09-13 20:55:00晶格,常数,米线,集成电路,中国,电路
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...。该制程将采用Intel 20A上就已经完成的RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术。在此之前的8月7日，英特尔曾宣布，基于Intel 18A制程节点打造的首批产品——AI PC客户端处理器Panther Lake和服务器处理器Clearwater Forest，……更多
2024-09-25 14:55:00英特,英特尔,芯片,公司,英特,英特尔
...文转自：科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 （记者张梦然）据最新一期《自然·电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
2023-11-14 01:26:00二维,晶体管,晶体,半导体,二硫化钼,晶体管
...神)可能象征着三星处理器性能的新时代。2nm工艺有望在晶体管密度上取得重大进展，与当前一代芯片相比，可能会提高效率和性能。Exynos2600将与苹果的A系列、M系列、AI芯片展开竞争。三星电子Exynos2600将成为GalaxyS26系列在全球...……更多
2024-05-27 12:56:00三星,芯片,正在,开发,三星,芯片
...1.4nm）工艺，通过增加纳米片数量进一步改善工艺。每个晶体管增加纳米片数量，可以增强驱动电流，从而提高性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好地...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
...越来越小，控制电流变得越来越困难，但GAA通过重新设计晶体管结构来提高能效，从而解决了这一问题。尽管有这些优势，但三星在争取各种客户供应晶圆方面基本上都不成功，因为它不断遇到产量问题。再加上高昂的生产成本...……更多
2024-05-02 02:11:00栅极,三星,芯片,技术,三星,纳米
...「我将整个公司押注在了18A制程上」。据推测，18A凭借在晶体管密度，以及背面供电（backside power）的创新，将成为世界上最先进的芯片制造技术。它的背面供电PowerVia技术，其原理是从下方向芯片晶体管供电，这解决了当前芯...……更多
2024-09-25 13:35:00英特,英特尔,制程,救星,绝地,王牌
...tel首个采用EUV生产的制程节点，对比前代在性能、能效、晶体管密度方面均实现了显著提升。Intel4工艺首发用于代号MeteorLake的酷睿Ultra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。目前，Intel正在稳步推进“四年五个...……更多
2023-10-12 19:54:00宣大,光刻,规模,第一次,工艺,制程
...积电的2nm工艺也是很强悍的存在，采用GAAFET(全环绕栅极晶体管)，取代finFET(鳍式场效应晶体管)。简单来说就是能够在相同的面积下，提高约30%的性能，或者降低约40%的功耗，让性能方面的表现更强。同时台积电还开发了具有背...……更多
2024-01-31 11:35:00水面,芯片,苹果,工艺,方面,芯片
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这大概是我最近这几年见过的，最抽象的汽车了，没有之一。就在前几天，一家名叫 ALEF 的美国初创公司发布了一段视频，表示自家的飞行汽车 Model A 已经成功试飞
2025-02-25 07:03:00
如果我告诉你，最近差评君迷上了电竞比赛，我想，你可能会让我分享下 ~ 但如果我告诉你，这个电竞比赛是 Excel 比赛呢
2025-02-25 07:03:00
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